5秒后页面跳转
ES1FVO PDF预览

ES1FVO

更新时间: 2024-11-28 17:38:51
品牌 Logo 应用领域
三垦 - SANKEN 二极管
页数 文件大小 规格书
1页 26K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 0.5A, Silicon

ES1FVO 技术参数

生命周期:Active包装说明:O-PALF-W2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.70风险等级:5.55
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码:O-PALF-W2元件数量:1
端子数量:2最大输出电流:0.5 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM认证状态:Not Qualified
最大反向恢复时间:1.5 µs表面贴装:NO
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
Base Number Matches:1

ES1FVO 数据手册

  
Fast-Recovery Rectifier Diodes  
Electrical Characteristics (Ta =25°C)  
Absolute Maximum Ratings  
Others  
Mass  
Parameter  
IFSM  
(A)  
50Hz  
Half-cycle Sinewave  
Single Shot  
Tj  
(°C)  
Tstg  
(°C)  
VF  
(V)  
IR  
(µA)  
IR  
(µA)  
trr  
trr  
(H)  
Rth (j-  
)
(µs)  
(µs)  
VRM  
(V)  
IF (AV)  
(A)  
Fig.  
A
Type No.  
VR =VRM  
max  
VR =VRM  
IF  
IF  
(mA)  
/
IRP  
IF  
/IRP  
max  
(°C/ W)  
(g)  
Ta  
=
100°C max  
(A)  
(mA)  
200  
400  
600  
200  
400  
600  
1500  
200  
400  
600  
1500  
AS01Z  
AS01  
AS01A  
ES01Z  
ES01  
ES01A  
ES01F  
ES 1Z  
ES 1  
ES 1A  
ES 1F  
0.6  
20  
1.5 0.6  
10  
10  
50  
1.5  
1.5  
10/10 0.6  
10/20  
22  
20  
0.13  
0.7  
0.5  
0.7  
0.5  
30  
20  
30  
20  
2.5 0.8  
2.0 0.5  
2.5 0.8  
2.0 0.5  
200  
200  
10/10 0.6  
10/20  
10/20  
0.2  
0.3  
B
C
–40 to +150  
10  
1.5  
10/10 0.6  
17  
AS01 series  
VF —IF Characteristics (Typical)  
IFMS Rating  
Ta —IF(AV) Derating  
20  
16  
12  
8
1.0  
0.8  
0.6  
0.4  
0.2  
0
20  
10  
50  
20ms  
3.0 t 50µCu  
P.C.B. t 1.6  
1
0.1  
=
T
a
150ºC  
120ºC  
100ºC  
70ºC  
0.01  
0.001  
4
25ºC  
0
1
1.6  
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4  
Forward Voltage VF (V)  
5
10  
50  
0
25  
Ambient Temperature Ta (°C)  
50  
75  
100  
125 150  
Overcurrent Cycles  
ES01 series  
VF —IF Characteristics (Typical)  
IFMS Rating  
Ta —IF(AV) Derating  
1.0  
0.8  
0.6  
0.4  
0.2  
0
30  
30  
10  
L=10mm  
L=10mm  
ES01Z  
ES01  
ES01A  
20ms  
Solder  
10mm  
Copper Foil  
P.C.B  
180• 100• 1.6t  
ES01Z  
ES01  
ES01A  
1
20  
10  
0.1  
ES01F  
=
T
a
150ºC  
100ºC  
60ºC  
0.01  
ES01F  
25ºC  
0.001  
0
1
0
25  
50  
75  
100  
125 150  
0.2  
0.6  
1.0  
1.4  
1.8  
2.2  
2.6  
5
10  
50  
Ambient Temperature Ta (°C)  
Forward Voltage VF (V)  
Overcurrent Cycles  
ES 1 series  
VF —IF Characteristics (Typical)  
IFMS Rating  
Ta —IF(AV) Derating  
30  
1.0  
0.8  
0.6  
0.4  
0.2  
0
40  
10  
20ms  
ES 1Z  
ES 1  
ES 1A  
20  
10  
1
ES 1Z  
ES 1  
ES 1A  
0.1  
0.01  
=
T
a
150ºC  
100ºC  
60ºC  
ES 1F  
ES 1F  
25ºC  
0.001  
0
1
0
25  
50  
75  
100  
125 150  
0.2  
0.6  
1.0  
1.4  
1.8  
2.2  
5
10  
50  
Ambient Temperature Ta (°C)  
Forward Voltage VF (V)  
Overcurrent Cycles  
ES 1F ES 01F  
External Dimensions  
Fig.  
A
Fig.  
Fig.  
C
B
VFIF Characteristics (Typical)  
1
(Unit: mm)  
0.57 ±0.02  
0.6±0.05  
0.78±0.05  
Flammability:  
UL94V-0 or Equivalent  
Cathode Mark  
Cathode Mark  
Cathode Mark  
0.1  
2.4±0.1  
2.7±0.2  
2.7±0.2  
0.01  
0.001  
0.2  
0.6  
1.0  
1.4  
1.8  
Forward Voltage VF (V)  
29  

与ES1FVO相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
ES1FW SANKEN

获取价格

Rectifier Diode, 1 Element, 0.5A, Silicon
ES1FW YANGJIE

获取价格

SMA
ES1FWK SANKEN

获取价格

Rectifier Diode, 1 Element, 0.5A, Silicon
ES1FWS SANKEN

获取价格

暂无描述
ES1G FUJI

获取价格

1 AMP SURFACE MOUNT GLASS SUPER FAST RECOVERY RECTIFIER
ES1G DIODES

获取价格

1.0A SURFACE MOUNT SUPER-FAST RECTIFIER
ES1G DACHANG

获取价格

Surface Mount Super Fast Recover Rectifiers Reverse Voltage 50 to 600 V Forward Current 1.
ES1G HTSEMI

获取价格

1 Amp Super Fast Recovery Silicon Rectifier 50 to 1000 Volts
ES1G TGS

获取价格

SURFACE MOUNT DEVICES RECTIFIERS
ES1G ONSEMI

获取价格

1.0A快速恢复整流器