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ES1EW

更新时间： 2024-11-28 12:50:03
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强茂 - PANJIT /
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3页 103K
描述
SURFACE MOUNT SUPERFAST RECTIFIER

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ES1EW 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：DO-214AC
包装说明：ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMA(W), 2 PIN针数：2
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.53
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJEDEC-95代码：DO-214AC
JESD-30 代码：R-PDSO-C2元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：1 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压：300 V最大反向恢复时间：0.035 µs
表面贴装：YES端子形式：C BEND
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

ES1EW 数据手册

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ES1AW~ES1GW  
SURFACE MOUNT SUPERFAST RECTIFIER  
1.0 Amperes  
50 to 400 Volts  
VOLTAGE  
CURRENT  
FEATURES  
• For surface mounted applications  
• Low profile package  
• Built-in strain relief  
• Easy pick and place  
• Superfast recovery times for high efficiency  
• Plastic package has Underwriters Laboratory  
Flammability Classification 94V-O  
• Glass passivated junction  
• In compliance with EU RoHS 2002/95/EC directives  
MECHANICAL DATA  
• Case: JEDEC DO-214AC molded plastic  
• Terminals: Solder plated, solderable per MIL-STD-750,Method 2026  
• Polarity: Indicated by cathode band  
• Standard packaging: 12mm tape (EIA-481)  
• Weight: 0.0023 ounce, 0.0679 gram  
.188(4.80)  
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified. Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate current by 20%.  
PARAMETER  
SYMBOL ES1AW ES1BW ES1CW ES1DW ES1EW ES1GW UNITS  
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage  
VRRM  
VRMS  
VDC  
IF(AV)  
IFSM  
VF  
50  
35  
50  
100  
70  
150  
105  
150  
200  
140  
200  
300  
210  
300  
400  
280  
400  
V
Maximum RMS Voltage  
V
V
Maximum DC Blocking Voltage  
100  
Maximum Average Forward Current at TL=105OC  
1.0  
30  
A
Peak Forward Surge Current : 8.3ms single half sine-wave  
superimposed on rated load (JEDEC method)  
A
Maximum Forward Voltage at 1.0A  
0.95  
1.25  
V
Maximum DC Reverse Current at Rated DC  
Blocking Voltage  
TJ= 25OC  
TJ=100OC  
1.0  
10  
IR  
μA  
ns  
Maximum Reverse Recovery Time (Note 1)  
Typical Junction capacitance (Note 2)  
Typical Thermal Resistance (Note 3)  
trr  
30  
7.0  
35  
CJ  
pF  
OC / W  
OC  
RθJL  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
TJ,TSTG  
-55 to +150  
NOTES:  
1.Reverse Recovery Tset Conditions:IF=0.5A,IR=1.0A,Irr=0.25A  
2.Measured at 1.0MHz and applied reverse voltage of 4.0 volts.  
3.8.0mm2( .013mm thick ) land areas.  
June 10,2010-REV.01  
PAGE . 1  
123

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
ES1E-W RECTRON

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 		Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 300V V(RRM), Silicon, DO-214AC, SMA, 2 PIN
ES1EWF-HF COMCHIP

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 		Rectifier Diode,
ES1EWG PANJIT

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 		Reverse Voltage Vr : 300 V;Forward Current Io : 1.0 A;Max Surge Current : 25 A;Forward Vol
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