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EGP10B-TP

更新时间： 2024-09-20 04:32:03
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC /
页数 文件大小 规格书
4页 172K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 100V V(RRM), Silicon, DO-41, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2

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EGP10B-TP 数据手册

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M C C  
Micro Commercial Components  
EGP10A  
THRU  
EGP10K  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
TM  
ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ  
1.0 Amp Glass  
Features  
•
Glass passivated cavity-free junction.  
Passivated High  
x
Case Material: Molded Plastic. UL Flammability  
Classification Rating 94V-0 and MSL rating 1  
Efficient Rectifiers  
50 to 800 Volts  
x
Marking : Cathode band and type number  
Lead Free Finish/RoHS Compliant (Note1) ("P"Suffix designates  
Compliant. See ordering information)  
•
Maximum Ratings  
•
•
•
Operating Temperature: -55OC to +150OC  
DO-41  
Storage Temperature: -55OC to +150OC  
Typical Thermal Resistance: 50OC/W Junction to Ambient  
Maximum  
Maximum DC  
Blocking  
Voltage  
Recurrent  
Peak Reverse  
Voltage  
Maximum  
RMS Voltage  
MCC  
Part Number  
D
EGP10A  
EGP10B  
EGP10D  
EGP10F  
EGP10G  
EGP10J  
EGP10K  
50V  
35V  
70V  
50V  
100V  
200V  
300V  
400V  
600V  
800V  
100V  
200V  
300V  
400V  
600V  
800V  
140V  
210V  
280V  
420V  
560V  
A
Cathode  
Mark  
B
Electrical Characteristics @ 25OC Unless Otherwise Specified  
D
Average Forward  
Current  
IF(AV)  
1.0 A  
T = 55OC  
A
Peak Forward Surge  
Current  
8.3ms, half  
sine  
I
30A  
FSM  
C
Maximum  
Instantaneous Forward  
Voltage  
IF=1.0A  
T =25OC  
EGP10A-10D  
EGP10F-10G  
EGP10J-10K  
VF  
1.00V  
1.25V  
1.70V  
A
DIMENSIONS  
INCHES  
MIN  
MM  
MIN  
Maximum DC Reverse  
Current At Rated DC  
Blocking Voltage  
Maximum Reverse  
Recovery Time  
EGP10A-10G  
DIM  
A
MAX  
.205  
.107  
.034  
---  
MAX  
5.20  
2.70  
.90  
NOTE  
IR  
5.0uA  
100uA  
T = 25OC  
.166  
4.10  
2.00  
.70  
A
B
.080  
T = 125OC  
C
.028  
A
D
1.000  
25.40  
---  
IF=0.5A,  
IR=1.0A,  
IRR=0.25A  
trr  
50nS  
75nS  
EGP10J-10K  
T=25OC  
J
Typical Junction  
Capacitance  
Measured at  
1.0MHz,  
VR=4.0V  
EGP10A-10D  
EGP10F-10K  
CJ  
22pF  
15pF  
www.mccsemi.com  
1 of 4  
Revision: 7  
2008/01/30  
1234

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EGP10B-TP 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
1N4002RLG ONSEMI

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EGP10C.TR FAIRCHILD

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 		Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 150V V(RRM), Silicon, DO-41

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