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EGP10D PDF预览

EGP10D

更新时间： 2023-09-03 20:31:07
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 局域网二极管
页数 文件大小 规格书
5页 148K
描述
1.0A快速恢复整流器

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EGP10D 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
零件包装代码：DO-41包装说明：D4, 2 PIN
针数：2Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.62外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJEDEC-95代码：DO-41
JESD-30 代码：O-PALF-W2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：NOT APPLICABLE元件数量：1
端子数量：2最大输出电流：1 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：LONG FORM峰值回流温度（摄氏度）：NOT APPLICABLE
最大功率耗散：2.5 W认证状态：COMMERCIAL
最大重复峰值反向电压：200 V最大反向恢复时间：0.05 µs
表面贴装：NO端子面层：MATTE TIN
端子形式：WIRE端子位置：AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT APPLICABLEBase Number Matches：1

EGP10D 数据手册

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DATA SHEET  
www.onsemi.com  
Rectifier, High Efficiency,  
Glass Passivated, 1.0ꢀA  
EGP10B - EGP10K  
AXIAL LEAD / DO−41  
Features  
CASE 017AH  
Superfast Recovery Time for High Efficiency  
Low Forward Voltage, High Current Capability  
Low Leakage Current  
MARKING DIAGRAM  
High Surge Current Capability  
EGP10X  
ZYWW  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25C unless otherwise noted)  
A
Symbol  
Parameter  
Value  
Unit  
EGP10X  
= Specific Device Code  
X = B/C/D/F/G/K  
= Assembly Code  
I
Average Rectified Current  
1.0  
A
O
0.375” lead length @ T = 75_C  
L
Z
I
Peak Forward Surge Current  
30  
A
f(surge)  
YWW  
= Date Code (Year & Week)  
8.3 ms single half−sine−wave  
Superimposed on rated load  
(JEDEC method)  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information on page 3  
of this data sheet.  
P
Total Device Dissipation  
2.5  
17  
W
mWC  
D
Derate above 25_C  
I
C
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
50  
C/W  
C  
TJ, TSTG Junction and Storage Temperature Range −65~150  
Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the  
device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be  
assumed, damage may occur and reliability may be affected.  
*These ratings are limiting values above which the serviceability of any  
semiconductor device may be impaired.  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25C unless otherwise noted)  
A
Device  
10B  
100  
70  
10C  
150  
105  
150  
10D  
200  
140  
200  
10F  
300  
210  
300  
10G  
400  
280  
400  
10K  
800  
560  
800  
Parameter  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
Maximum RMS Voltage  
Unit  
V
V
DC Reverse Voltage (Rated V )  
100  
V
R
Maximum Reverse  
5.0  
T = 25_C  
A
mA  
mA  
A
Current at Rated V  
R
T = 125_C  
100  
Maximum Reverse Recovery Time  
I = 0.5 A, I = 1.0 A, I = 0.25 A  
50  
75  
nS  
V
F
R
rr  
Maximum Forward Voltage @ 2.0 A  
Typical Junction Capacitance  
0.95  
22  
1.25  
1.7  
15  
pF  
V
R
= 4.0 V, f = 1.0 MHz  
Product parametric performance is indicated in the Electrical Characteristics for the listed test conditions, unless otherwise noted. Product  
performance may not be indicated by the Electrical Characteristics if operated under different conditions.  
*Pulse Test: Pulse Width 300 ms, Duty Cycle 2%.  
Semiconductor Components Industries, LLC, 2007  
1
Publication Order Number:  
October, 2022 − Rev. 2  
EGP10K/D  
12345

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EGP10D 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
1N4003-TP MCC

功能相似

 1 Amp Rectifier 50 - 1000 Volts
UF1003-T DIODES

功能相似

 1.0A ULTRA-FAST RECTIFIER
1N4935 FAIRCHILD

功能相似

 1.0 Ampere Fast Recovery Rectifiers

与EGP10D相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
EGP10D.TR FAIRCHILD

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 200V V(RRM), Silicon, DO-41,
EGP10D/4H VISHAY

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 200V V(RRM), Silicon, DO-204AL, PLASTIC, DO-41, 2 PIN
EGP10D/64 VISHAY

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 200V V(RRM), Silicon, DO-204AL, PLASTIC, DO-41, 2 PIN
EGP10D/65 VISHAY

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 200V V(RRM), Silicon, DO-204AL, PLASTIC, DO-41, 2 PIN
EGP10D/74 VISHAY

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 200V V(RRM), Silicon, DO-204AL, PLASTIC, DO-41, 2 PIN
EGP10D/92 VISHAY

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 200V V(RRM), Silicon, DO-204AL, PLASTIC, DO-41, 2 PIN
EGP10D/93 VISHAY

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 200V V(RRM), Silicon, DO-204AL, PLASTIC, DO-41, 2 PIN
EGP10D_15 LRC

获取价格

 		Plastic package has Underwriters Laboratory
EGP10D-5410/4 VISHAY

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 200V V(RRM), Silicon, DO-204AL
EGP10D-A MCC

获取价格

 		Rectifier Diode,

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