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EGP10D

更新时间： 2024-11-21 06:56:19
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SUPER FAST RECTIFIER

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EGP10D 数据手册

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EGP10ATHRU EGP10M  
R
SUPER FAST RECTIFIER  
Reverse Voltage: 50 to 1000 Volts  
Forward Current:1.0Ampere  
S E M I C O N D U C T O R  
DO-41  
FEATURES  
GPRC( Glass Passivated Rectifier Chip) inside  
Glass passivated cavity-free junction  
Low forward voltage drop,High current capability  
High surge current capability  
1.0(25.4)  
MIN  
Super fast recovery time  
0.107(2.7)  
0.080(2.0)  
DIA  
Plastic package has Underwriters Laboratory Flammability  
Classification 94V-0  
0.205(5.20)  
0.180(4.10)  
MECHANICAL DATA  
Case: JEDEC DO-41 molded plastic body  
Terminals: Plated axial leads, solderable per MIL-STD-750,method 2026  
Polarity: Color band denotes cathode end  
Mounting Position: Any  
1.0(25.4)  
MIN  
0.034(0.85)  
0.028(0.71)  
DIA  
Weight: 0.012ounce, 0.34 gram  
Dimensions in inches and (millimeters)  
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
(Rating at 25 C ambient temperature unless otherwise specified ,Single phase ,half wave ,60HZ,resistive or inductive  
load. For capacitive load,derate current by 20%.)  
EGP  
10G  
EGP  
10A  
EGP  
10B  
EGP  
10D  
EGP  
10F  
EGP  
10J  
EGP  
10K  
EGP  
10M  
Symbols  
Units  
600  
280  
600  
50  
35  
50  
100  
70  
150  
105  
150  
200  
140  
200  
400  
280  
400  
800  
280  
800  
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage  
Maximum RMS Voltage  
VRRM  
VRMS  
VDC  
1000  
280  
Volts  
Volts  
Volts  
Maximum DC Blocking Voltage  
100  
1000  
Maximum Average Forward Rectified Current  
0.375"(9.5mm)lead Length at Ta=55 C  
1.0  
I(AV)  
IFSM  
VF  
Amp  
Amps  
Volts  
Peak Forward Surge Current 8.3ms single half  
sine-wave superimposed on rated load  
(JEDEC method)  
30.0  
Maximum Instantaneous Forward Voltage  
at 1.0 A  
0.95  
1.25  
5.0  
TA=25 C  
Maximum DC Reverse  
Current At Rated DC  
Blocking Voltage  
IR  
A
50  
TA=100 C  
Maximum Reverse Recovery Time(Note1)  
Typical Junction Capacitance(Note2)  
35  
Trr  
CJ  
ns  
PF  
50  
25  
-65 to+125  
-65 to+150  
Operating Junction and Storage Temperature  
Range  
TJ  
C
TSTG  
Note: 1.Test conditions: IF=0.5A,IR=1.0A,IRR=0.25A.  
2.Measured at 1MHZ and applied reverse voltage of 4.0 Volts.  
8-4  
NO.51 HEPING ROAD PR CHINA  
TEL:86-531-6943657 FAX:86-531-6947096  
WWW.JIFUSEMICON.COM  
JINAN JINGHENG CO., LTD.  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
EGP10D.TR FAIRCHILD

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 		Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 200V V(RRM), Silicon, DO-41,
EGP10D/4H VISHAY

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 		Rectifier Diode,

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