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EDI4161MEV60SI

更新时间： 2024-09-19 23:50:03
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其他 - ETC 内存集成电路光电二极管动态存储器
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描述
x16 EDO Page Mode DRAM

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EDI4161MEV60SI 数据手册

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EDI4161MEV-RP  
1Meg x16 EDO DRAM  
1 Megabit x 16 Dynamic RAM  
3.3V, Extended Data Out  
Features  
EDI's ruggedized plastic 1Mx16 DRAM allows the user to  
capitalize on the cost advantage of using a plastic compo-  
nentwhilenotsacrificingallofthereliabilityavailableinafull  
military device.  
1 Meg x 16 bit CMOS Dynamic  
Random Access Memory  
• Access Times: 60 and 70ns  
Extended temperature testing is performed with the test  
patternsdevelopedforuseonEDI'sfullycompliantDRAMs.  
EDIfullycharacterizes devices todeterminethepropertest  
patterns for testing at temperature extremes. This is critical  
because the operating characteristics of device change  
when it is operated beyond the commercial temperature  
range. Using commercial test methods will not guarantee a  
device that operates reliably in the field at temperature  
extremes. Users of EDI's ruggedized plastic benefit from  
EDI'sextensiveexperienceincharacterizingDRAMsforuse  
inmilitarysystems.  
•
EDO Cycle time 25 and 30ns  
• Single +3.3V (±10%) Supply Operation  
• 1024 cycles/16ms Refresh  
• RAS-Only,CAS-BEFORE-RAS,and  
HIDDEN refresh capability  
• Low Operating Power Dissipation  
• Low Standby Power  
• Common I/O  
• All Inputs/Outputs TTL Compatible  
Package Style  
The x16 width of the memory allows the user to build a cost  
effective x64 wide main memory array for the Power PC  
microprocessor. The wider memory width provides for a  
higher memory bandwidth required by today's systems.  
• 44/50 pin Plastic TSOP  
• 42 pin Plastic SOJ  
Pin Configurations  
Pin Names  
VCC  
DQ1  
DQ2  
DQ3  
DQ4  
VCC  
DQ5  
DQ6  
DQ7  
DQ8  
NC  
1
42  
41  
40  
39  
38  
37  
36  
35  
34  
33  
32  
31  
30  
29  
28  
27  
26  
25  
24  
23  
22  
VSS  
50  
1
VCC  
DQ1  
DQ2  
DQ3  
DQ4  
VCC  
DQ5  
DQ6  
DQ7  
DQ8  
NC  
VSS  
DQ16  
DQ15  
DQ14  
DQ13  
VSS  
DQ12  
DQ11  
DQ10  
DQ9  
DQ16  
DQ15  
DQ14  
DQ13  
VSS  
2
AØ-A9  
CASL\ and CASH\  
RAS\  
W\  
G\  
DQ1-DQ16  
VCC  
VSS  
AddressInputs  
3
ColumnAddressStrobe  
RowAddressStrobe  
WriteControlInput  
OutputEnable  
DataInputs/Outputs  
Power (+5V±10%)  
Ground  
4
5
6
DQ12  
DQ11  
DQ10  
DQ9  
7
8
42 pin  
44/50 pin  
9
NC  
10  
11  
12  
13  
14  
15  
16  
17  
18  
19  
20  
21  
NC  
CASL\  
CASH\  
NC  
NC  
NC  
W\  
RAS\  
NC  
NC  
A0  
A1  
A2  
A3  
NC  
CASL\  
CASH\  
G\  
A9  
A8  
A7  
A6  
W\  
RAS\  
NC  
G\  
A9  
A8  
A7  
A6  
A5  
A4  
VSS  
NC  
NC  
NoConnection  
A0  
A1  
A2  
A5  
A4  
VSS  
A3  
26  
25  
VCC  
VCC  
Electronic Designs Incorporated  
• One Research Drive • Westborough, MA 01581 USA • 508-366-5151 • FAX 508-836-4850 •  
http://www.electronic-designs.com  
1
EDI4161MEV-RP Rev. 1 4/98 ECO#10179  
1234567...12

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与EDI4161MEV60SI相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
EDI4161MEV-60SI WEDC

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 		EDO DRAM, 1MX16, 60ns, CMOS, PDSO44,
EDI4161MEV60SM WEDC

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 		EDO DRAM, 1MX16, 60ns, CMOS, PDSO44,
EDI4161MEV70MI WEDC

获取价格

 		EDO DRAM, 1MX16, 70ns, CMOS, PDSO42,
EDI4161MEV70MM WEDC

获取价格

 		EDO DRAM, 1MX16, 70ns, CMOS, PDSO42,
EDI4161MEV70SI ETC

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 		x16 EDO Page Mode DRAM
EDI4161MEV-70SI WEDC

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 		EDO DRAM, 1MX16, 70ns, CMOS, PDSO44,
EDI4161MEV70SM WEDC

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 		EDO DRAM, 1MX16, 70ns, CMOS, PDSO44,
EDI4164MEV50SI ETC

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 		x16 EDO Page Mode DRAM
EDI4164MEV50SM ETC

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 		x16 EDO Page Mode DRAM
EDI4164MEV60SI ETC

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 		x16 EDO Page Mode DRAM

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