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EDI4164MEV50SM

更新时间： 2024-11-07 23:50:03

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其他 - ETC		内存集成电路光电二极管动态存储器
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描述
x16 EDO Page Mode DRAM

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EDI4164MEV50SM 数据手册

EDI4164MEV-RP

HI-RELIABILITY PRODUCT

4Mx16 EDO (Extended Data Out) Dynamic RAM 3.3V

FEATURES

■ RAS - Only, CAS-before-RAS, and HIDDEN refresh

capability

■ Access Time: 50, 60 and 70ns

■ 4 Meg x 16 bit CMOS Dynamic RAM

■ Package:

■ Low Operating Power Dissipation

■ Low Standby Power

• 50 pin Plastic TSOP

■ Common I/O

■ Extended Data Out Mode Operation

■ Single +3.3V (±0.3V) Supply Operation

■ 4096 Cycles Refresh

■ All Inputs/Outputs TTL Compatible

■ Industrial (-40°C to +85°C) and Military (-55°C to +125°C)

Temperature Ranges

PIN CONFIGURATION

TOP VIEW

PIN DESCRIPTION

VCC

5 0

VSS

A0-11

Address Inputs

DQ16

DQ15

DQ14

DQ13

LCAS /

UCAS

Column Address

Strobes

VSS

RAS

Row Address Strobe

Write Enable Input

Output Enable

DQ12

DQ11

DQ10

DQ9

DQ1-16 Data Inputs/Outputs

RAS

VSS

LCAS

UCAS

VCC

VSS

Power (+3.3V±0.3V)

Ground

No Connection

A10

VCC

VSS

2 5

2 6

September 1999 Rev. 2

White Electronic Designs Corporation • (602) 437-1520 • www.whiteedc.com

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