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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | R-PDSO-G3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.50 |
| 风险等级： | 5.8 | 最大击穿电压： | 10 V |
| 最小击穿电压： | 5.1 V | 配置： | COMPLEX |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 5 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性： | BIDIRECTIONAL |
| 最大功率耗散： | 0.225 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 技术： | AVALANCHE |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 3 |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| EDCS05TTE16V | KOA |
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Transient Suppressor, |
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| EDCS06TTE16V | KOA |
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Trans Voltage Suppressor Diode, Bidirectional, 5 Element, Silicon, PLASTIC, S06, 6 PIN |
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| EDCS06TTE5V0 | KOA |
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Trans Voltage Suppressor Diode, Bidirectional, 5 Element, Silicon, PLASTIC, S06, 6 PIN |
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| EDD10161BBH-5BTS-F | ELPIDA |
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1G bits DDR Mobile RAM™ WTR (Wide Temperature |
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| EDD10161BBH-6ETS-F | ELPIDA |
获取价格 |
1G bits DDR Mobile RAM™ WTR (Wide Temperature |
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| EDD10161BBH-TS | ELPIDA |
获取价格 |
1G bits DDR Mobile RAM™ WTR (Wide Temperature |
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| EDD10163BBH-5BLS-F | ELPIDA |
获取价格 |
1G bits DDR Mobile RAM™ WTR (Wide Temperature |
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| EDD10163BBH-6ELS-F | ELPIDA |
获取价格 |
1G bits DDR Mobile RAM™ WTR (Wide Temperature |
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| EDD10163BBH-LS | ELPIDA |
获取价格 |
1G bits DDR Mobile RAM™ WTR (Wide Temperature |
|
| EDD10321ABH-6CTS-F | ELPIDA |
获取价格 |
DDR DRAM, 32MX32, 5ns, CMOS, PBGA90, ROHS COMPLIANT, FBGA-90 |
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