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EDD10321ABH-6CTS-F

更新时间： 2024-02-09 11:45:26

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尔必达 - ELPIDA		时钟动态存储器双倍数据速率内存集成电路
页数	文件大小	规格书
54页	612K
描述
DDR DRAM, 32MX32, 5ns, CMOS, PBGA90, ROHS COMPLIANT, FBGA-90

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EDD10321ABH-6CTS-F 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	TFBGA, BGA90,9X15,32
针数：	90	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.32
风险等级：	5.84	访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间：	5 ns	其他特性：	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)：	166 MHz	I/O 类型：	COMMON
交错的突发长度：	2,4,8	JESD-30 代码：	R-PBGA-B90
JESD-609代码：	e1	长度：	13 mm
内存密度：	1073741824 bit	内存集成电路类型：	DDR DRAM
内存宽度：	32	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	90
字数：	33554432 words	字数代码：	32000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-25 °C	组织：	32MX32
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TFBGA	封装等效代码：	BGA90,9X15,32
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	1.8 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	8192
座面最大高度：	1.2 mm	自我刷新：	YES
连续突发长度：	2,4,8	最大待机电流：	0.0032 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.17 mA
最大供电电压 (Vsup)：	1.95 V	最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	OTHER
端子形式：	BALL	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	11 mm	Base Number Matches：	1

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PRELIMINARY DATA SHEET

1G bits DDR SDRAM

EDD10321ABH (32M words × 32 bits)

Specifications

Pin Configurations

• Density: 1G bits

• Organization: 8M words × 32 bits × 4 banks

• Package: 90-ball FBGA

/xxx indicates active low signal.

90-ball FBGA

⎯

Lead-free (RoHS compliant) and Halogen-free

VSS DQ31 VSSQ

VDDQ DQ29 DQ30

VSSQ DQ27 DQ28

VDDQ DQ25 DQ26

VSSQ DQS3 DQ24

VDD DM3 NC

VDDQ DQ16 VDD

DQ17 DQ18 VSSQ

DQ19 DQ20 VDDQ

DQ21 DQ22 VSSQ

DQ23 DQS2 VDDQ

NC DM2 VSS

/WE /CAS /RAS

/CS BA0 BA1

• Power supply: VDD, VDDQ = 1.8V +0.15V/–0.1V

• Clock frequency: 166MHz/133MHz (max.)

• 4KB page size

⎯ Row address: A0 to A12

⎯ Column address: A0 to A9

• Four internal banks for concurrent operation

• Interface: LVCMOS

• Burst lengths (BL): 2, 4, 8

• Burst type (BT):

⎯ Sequential (2, 4, 8)

CKE CK

/CK

A11 A12

⎯ Interleave (2, 4, 8)

• /CAS latency (CL): 3

• Precharge: auto precharge option for each burst

access

A10 (AP) A0

DM1

DM0

VSSQ DQS1 DQ8

VDDQ DQ9 DQ10

VSSQ DQ11 DQ12

VDDQ DQ13 DQ14

VSS DQ15 VSSQ

DQ7 DQS0 VDDQ

DQ5 DQ6 VSSQ

DQ3 DQ4 VDDQ

DQ1 DQ2 VSSQ

VDDQ DQ0 VDD

• Driver strength: full/half/quarter

• Refresh: auto-refresh, self-refresh

• Refresh cycles: 8192 cycles/64ms

⎯ Average refresh period: 7.8μs

• Operating ambient temperature range

⎯ TA = −25°C to +85°C

(Top view)

Features

• DLL is not implemented

• Low power consumption

• Double-data-rate architecture; two data transfers per

one clock cycle

A0 to A12

BA0, BA1

DQ0 to DQ31

DQS0 to DQS3

/CS

Address inputs

Bank select address

Data-input/output

Input and output data strobe

Chip select

• Bi-directional data strobe (DQS) is transmitted

/RAS

/CAS

/WE

DM0 to DM3

CKE

Row address strobe

Column address strobe

Write enable

Input mask

Clock enable

/received with data for capturing data at the receiver

• DQS is edge-aligned with data for READs; center-

aligned with data for WRITEs

• Differential clock inputs (CK and /CK)

• Commands entered on each positive CK edge; data

and data mask referenced to both edges of DQS

/CK

VDD

VSS

VDDQ

VSSQ

Clock input

Differential clock input

Power for internal circuit

Ground for internal circuit

Power for DQ circuit

Ground for DQ circuit

No connection

• Burst termination by burst stop command and

precharge command

Document No. E1127E31 (Ver. 3.1)

Date Published November 2007 (K) Japan

Printed in Japan

URL: http://www.elpida.com

12 3 4 5 6 7...54

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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