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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | BGA |
| 包装说明： | VFBGA, | 针数： | 90 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.32 | 风险等级： | 5.84 |
| 访问模式： | FOUR BANK PAGE BURST | 最长访问时间： | 5 ns |
| 其他特性： | AUTO/SELF REFRESH | JESD-30 代码： | R-PBGA-B90 |
| JESD-609代码： | e1 | 长度： | 13 mm |
| 内存密度： | 1073741824 bit | 内存集成电路类型： | DDR DRAM |
| 内存宽度： | 32 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 1 | 端子数量： | 90 |
| 字数： | 33554432 words | 字数代码： | 32000000 |
| 工作模式： | SYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -25 °C | 组织： | 32MX32 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | VFBGA |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 1 mm |
| 自我刷新： | YES | 最大供电电压 (Vsup)： | 1.95 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 1.7 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 1.8 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | OTHER | 端子面层： | TIN SILVER COPPER |
| 端子形式： | BALL | 端子节距： | 0.8 mm |
| 端子位置： | BOTTOM | 宽度： | 9 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| EDD10321BBH-6ETS-F | ELPIDA | 1G bits DDR Mobile RAM™ WTR (Wide Temperature |
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| EDD10321BBH-TS | ELPIDA | 1G bits DDR Mobile RAM™ WTR (Wide Temperature |
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| EDD10323ABH-6DLS-F | ELPIDA | DDR DRAM, 32MX32, 5ns, CMOS, PBGA90, ROHS COMPLIANT, FBGA-90 |
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| EDD10323ABH-6ELS-F | ELPIDA | DDR DRAM, 32MX32, 5ns, CMOS, PBGA90, ROHS COMPLIANT, FBGA-90 |
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| EDD10323ABH-7FLS-F | ELPIDA | DDR DRAM, 32MX32, 6ns, CMOS, PBGA90, ROHS COMPLIANT, FBGA-90 |
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| EDD10323BBH-5BLS-F | ELPIDA | 1G bits DDR Mobile RAM™ WTR (Wide Temperature |
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