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EDD10323BBH-6ELS-F

更新时间： 2024-01-28 02:38:45

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尔必达 - ELPIDA		存储内存集成电路动态存储器双倍数据速率
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描述
1G bits DDR Mobile RAM™ WTR (Wide Temperature Range), Low Power Function

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EDD10323BBH-6ELS-F 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	BGA
包装说明：	VFBGA,	针数：	90
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.32	风险等级：	5.82
Is Samacsys：	N	访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间：	5 ns	其他特性：	AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码：	R-PBGA-B90	JESD-609代码：	e1
长度：	13 mm	内存密度：	1073741824 bit
内存集成电路类型：	DDR DRAM	内存宽度：	32
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	90	字数：	33554432 words
字数代码：	32000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-25 °C
组织：	32MX32	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	VFBGA	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1 mm	自我刷新：	YES
最大供电电压 (Vsup)：	1.95 V	最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	OTHER
端子面层：	TIN SILVER COPPER	端子形式：	BALL
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	BOTTOM
宽度：	9 mm	Base Number Matches：	1

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PRELIMINARY DATA SHEET

1G bits DDR Mobile RAM

WTR (Wide Temperature Range), Low Power Function

EDD10323BBH-LS (32M words × 32 bits)

Specifications

Features

• Density: 1G bits

• Organization: 8M words × 32 bits × 4 banks

• DLL is not implemented

• Low power consumption

• Package: 90-ball FBGA

• Partial Array Self-Refresh (PASR)

Lead-free (RoHS compliant) and Halogen-free

• Power supply: VDD, VDDQ = 1.7V to 1.95V

• Data rate: 400Mbps/333Mbps (max.)

• 4KB page size

Row address: A0 to A12

Column address: A0 to A9

• Four internal banks for concurrent operation

• Interface: LVCMOS

• Burst lengths (BL): 2, 4, 8, 16

• Burst type (BT):

• Auto Temperature Compensated Self-Refresh

(ATCSR) by built-in temperature sensor

• Deep power-down mode

• Double-data-rate architecture; two data transfers per

one clock cycle

• The high-speed data transfer is realized by the 2 bits

prefetch pipelined architecture

• Bi-directional data strobe (DQS) is transmitted

/received with data for capturing data at the receiver.

• Data inputs, outputs, and DM are synchronized with

DQS

• DQS is edge-aligned with data for READs; center-

Sequential (2, 4, 8, 16)

Interleave (2, 4, 8, 16)

• /CAS Latency (CL): 3

aligned with data for WRITEs

• Differential clock inputs (CK and /CK)

• Commands entered on each positive CK edge: data

• Precharge: auto precharge option for each burst

and data mask referenced to both edges of DQS

access

• Data mask (DM) for write data

• Driver strength: normal, 1/2, 1/4, 1/8

• Refresh: auto-refresh, self-refresh

• Refresh cycles: 8192 cycles/64ms

Average refresh period: 7.8µs

• Operating ambient temperature range

TA = −25°C to +85°C

• Burst termination by burst stop command and

precharge command

• Wide temperature range

TA = −25°C to +85°C

Document No. E1435E20 (Ver. 2.0)

Date Published October 2009 (K) Japan

Printed in Japan

URL: http://www.elpida.com

Elpida Memory, Inc. 2008-2009

12 3 4 5 6 7...60

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