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E50A27VBR

更新时间： 2024-11-04 22:23:27

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KEC		二极管测试电机 LTE
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1页	198K
描述
STACK SILICON DIFFUSED DIODE (ALTERNATOR DIODE FOR AUTOMOTIVE)

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E50A27VBR 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	O-XUPF-P1
针数：	1	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.50
风险等级：	5.79	Is Samacsys：	N
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	ZENER DIODE	JESD-30 代码：	O-XUPF-P1
元件数量：	1	端子数量：	1
最高工作温度：	215 °C	最低工作温度：	-40 °C
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	ROUND
封装形式：	PRESS FIT	极性：	UNIDIRECTIONAL
标称参考电压：	27 V	表面贴装：	NO
技术：	ZENER	端子形式：	PIN/PEG
端子位置：	UPPER	最大电压容差：	9.43%
工作测试电流：	10 mA	Base Number Matches：	1

E50A27VBR 数据手册

SEMICONDUCTOR

E50A27VBS, E50A27VBR

STACK SILICON DIFFUSED DIODE

TECHNICAL DATA

ALTERNATOR DIODE FOR AUTOMOTIVE APPLICATION.

FEATURES

·Average Forward Current : I_O=50A.

·Zener Voltage : 27V(Typ.)

DIM MILLIMETERS

POLARITY

Φ11.5 MAX

Φ12.75+0.09-0.00

E50A27VBS (+ Type)

E50A27VBR (- Type)

Φ1.3 0.04

4.2+ 0.2

8.0+0.2

TYP 0.5

Φ10.0 0.2

0.4 0.1x45

8.5 MAX

0.2+0.1

28.35 0.5

MAXIMUM RATING (Ta=25℃)

CHARACTERISTIC

Average Forward Current

Peak 1 Cycle Surge Current

SYMBOL

I_F(AV)

RATING

UNIT

I_FSM

380 (60Hz)

Non-Repetitive Peak

Reverse Surge Current (10mS)

I_RSM

B-PF

V_RSM

V_RM

T_j

Transient Peak Reverse Voltage

Peak Reverse Voltage

Junction Temperature

-40∼215

℃

T_stg

Storage Temperature Range

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃)

CHARACTERISTIC

Peak Forward Voltage

SYMBOL

TEST CONDITION

MIN.

TYP.

MAX.

UNIT

V_F

V_Z

I_FM=100A

1.05

0.2

I_Z=10mA

V_R=20V

Zener Voltage

I_R

Reverse Current

μA

I_FM=100A, I_M=100mA, Pw=100mS

I_rsm=55A, Pw=10mS

I_Z=10mA

Transient Thermal Resistance

Breakdown Voltage

Temperature Coefficient

ΔV_F

V_br

15.7

mV/℃

Reverse Leakage Current Under

High Temperature

HI_R

R_th

Ta=150℃, V_R=20V

100

0.6

μA

Temperature Resistance

DC total junction to case

℃/W

2002. 4. 16

Revision No : 5

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