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E50A2CS PDF预览

E50A2CS

更新时间： 2024-11-13 06:55:11
品牌 Logo 应用领域
KEC 二极管
页数 文件大小 规格书
2页 52K
描述
STACK SILICON DIFFUSED DIODE

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E50A2CS 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：R-XSSO-X1
针数：1Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.71Is Samacsys：N
应用：GENERAL PURPOSE配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：R-XSSO-X1最大非重复峰值正向电流：600 A
元件数量：1相数：1
端子数量：1最高工作温度：190 °C
最低工作温度：-40 °C最大输出电流：50 A
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：200 V最大反向恢复时间：15 µs
表面贴装：YES端子形式：UNSPECIFIED
端子位置：SINGLEBase Number Matches：1

E50A2CS 数据手册

 浏览型号E50A2CS的Datasheet PDF文件第2页 
SEMICONDUCTOR  
E50A2CS, E50A2CR  
STACK SILICON DIFFUSED DIODE  
TECHNICAL DATA  
ALTERNATOR DIODE FOR AUTOMOTIVE APPLICATION.  
A3  
A2  
A1  
D3  
FEATURES  
· Average Forward Current : IO=50A.  
· Repetitive Peak Reverse Voltage : VRRM=200V.  
POLARITY  
E50A2CS (+ Type)  
E50A2CR (- Type)  
E
F
G
DIM MILLIMETERS DIM MILLIMETERS  
MAXIMUM RATING (Ta=25℃)  
_
10.0+0.3  
_
+
A1  
A2  
A3  
B1  
B2  
C1  
C2  
D1  
D2  
D3  
E
5.0 0.3  
_
_
+
+
13.5 0.3  
4.5 0.3  
CHARACTERISTIC  
Repetitive Peak Reverse Voltage  
Average Forward Current  
Peak 1 Cycle Surge Current  
Junction Temperature  
SYMBOL  
VRRM  
IF(AV)  
IFSM  
RATING  
200  
UNIT  
V
_
_
+
24.0 0.5  
_
+
1.9 0.3  
_
+
8.5 0.3  
_
+
9.0 0.3  
_
F
+
10.0 0.3  
_
+
1.0 0.3  
_
G
+
2.0 0.3  
+
4.4 0.5  
H
50  
A
_
_
+
0.6 0.3  
+
5.0 0.3  
_
T
+
2.5 0.3  
600 (50Hz)  
-40∼ 190  
-40∼ 150  
A
Tj  
℃
℃
MR  
Tstg  
Storage Temperature Range  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃)  
CHARACTERISTIC  
Peak Forward Voltage  
SYMBOL  
TEST CONDITION  
MIN.  
TYP.  
MAX.  
1.05  
50  
UNIT  
V
VFM  
IRRM  
trr  
IFM=100A  
-
-
-
-
-
-
-
-
VRRM=200V  
Repetitive Peak Reverse Current  
Reverse Recovery Time  
μA  
IF=0.1A, IR=0.1A  
DC total junction to case  
15  
μS  
Rth  
Temperature Resistance  
1.0  
℃/W  
2010. 1. 28  
Revision No : 0  
1/2  
12

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