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E50A2CR

更新时间： 2024-11-06 01:18:47

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KEC		二极管
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2页	471K
描述
STACK SILICON DIFFUSED DIODE

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E50A2CR 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	R-XSSO-X1
针数：	1	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.71	应用：	GENERAL PURPOSE
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JESD-30 代码：	R-XSSO-X1
最大非重复峰值正向电流：	600 A	元件数量：	1
相数：	1	端子数量：	1
最高工作温度：	190 °C	最低工作温度：	-40 °C
最大输出电流：	50 A	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	200 V
最大反向恢复时间：	15 µs	表面贴装：	YES
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	SINGLE
Base Number Matches：	1

E50A2CR 数据手册

SEMICONDUCTOR

E50A2CS, E50A2CR

STACK SILICON DIFFUSED DIODE

TECHNICAL DATA

ALTERNATOR DIODE FOR AUTOMOTIVE APPLICATION.

FEATURES

· Average Forward Current : I_O=50A.

· Repetitive Peak Reverse Voltage : V_RRM=200V.

POLARITY

E50A2CS (+ Type)

E50A2CR (- Type)

MAXIMUM RATING (Ta=25℃)

CHARACTERISTIC

Repetitive Peak Reverse Voltage

Average Forward Current

Peak 1 Cycle Surge Current

Junction Temperature

SYMBOL

V_RRM

I_F(AV)

I_FSM

RATING

200

UNIT

600 (50Hz)

-40∼ 190

-40∼ 150

T_j

℃

T_stg

Storage Temperature Range

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃)

CHARACTERISTIC

Peak Forward Voltage

SYMBOL

TEST CONDITION

MIN.

TYP.

MAX.

1.05

UNIT

V_FM

I_RRM

t_rr

I_FM=100A

V_RRM=200V

Repetitive Peak Reverse Current

Reverse Recovery Time

μA

I_F=0.1A, I_R=0.1A

DC total junction to case

μS

R_th

Temperature Resistance

1.0

℃/W

2010. 1. 28

Revision No : 0

1/2

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