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E50A2CPR

更新时间： 2024-11-14 01:18:47

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KEC		二极管
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1页	351K
描述
STACK SILICON DIFFUSED DIODE

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E50A2CPR 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	O-XUPF-P1
针数：	1	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.71	应用：	GENERAL PURPOSE
外壳连接：	ANODE	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	O-XUPF-P1	最大非重复峰值正向电流：	500 A
元件数量：	1	相数：	1
端子数量：	1	最高工作温度：	200 °C
最低工作温度：	-40 °C	最大输出电流：	50 A
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	ROUND
封装形式：	PRESS FIT	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	200 V	最大反向恢复时间：	15 µs
表面贴装：	NO	端子形式：	PIN/PEG
端子位置：	UPPER	Base Number Matches：	1

E50A2CPR 数据手册

SEMICONDUCTOR

E50A2CPS, E50A2CPR

STACK SILICON DIFFUSED DIODE

TECHNICAL DATA

ALTERNATOR DIODE FOR AUTOMOTIVE APPLICATION.

FEATURES

· Average Forward Current : I_O=50A.

· Reverse Voltage : 200V(Min.)

POLARITY

E50A2CPS (+ Type)

E50A2CPR (- Type)

DIM MILLIMETERS

Φ11.7+0.1/-0

3.85+0/-0.2

0.32

3.1

MAXIMUM RATING (Ta=25℃)

0.5

Φ1.45+ 0.1

8.4 MAX

1.55

CHARACTERISTIC

Average Forward Current

Peak 1 Cycle Surge Current

Repetitive Peak Reverse Voltage

Junction Temperature

SYMBOL

I_F(AV)

I_FSM

RATING

UNIT

DIM TYPE POLARITY MILLIMETERS

17.5+0/-1.5

21.5+0/-1.5

500 (60Hz)

200

V_RRM

T_j

H-PF

-40∼ 200

℃

T_stg

Storage Temperature Range

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃)

CHARACTERISTIC

Forward Voltage

SYMBOL

TEST CONDITION

MIN.

TYP.

MAX.

1.05

UNIT

V_F

V_R

I_R

I_FM=100A

200

I_R=5mA

Reverse Voltage

Reverse Current

V_R=200V

μA

I_FM=100A, I_M=100mA,

Pw=100ms

V_F

t_rr

Transient Thermal Resistance

130

μs

I_F=100mA, I_RP=100mA

Reverse Recovery Time

Reverse Leakage Current Under

High Temperature

HI_R

Ta=150℃, V_R=200V

2.5

Junction to Base

Junction to Fin

0.8

1.0

R_th

Temperature Resistance

℃/W

2005. 3. 7

Revision No : 0

1/1

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