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E50A2CBR

更新时间： 2024-11-04 22:30:19

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KEC		二极管电机 LTE
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1页	192K
描述
STACK SILICON DIFFUSED DIODE (ALTERNATOR DIODE FOR AUTOMOTIVE)

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E50A2CBR 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	B-PF, 1 PIN
针数：	1	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.71	Is Samacsys：	N
应用：	GENERAL PURPOSE	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	O-XUPF-P1	最大非重复峰值正向电流：	380 A
元件数量：	1	相数：	1
端子数量：	1	最高工作温度：	215 °C
最低工作温度：	-40 °C	最大输出电流：	50 A
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	ROUND
封装形式：	PRESS FIT	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	200 V	最大反向恢复时间：	15 µs
表面贴装：	NO	端子形式：	PIN/PEG
端子位置：	UPPER	Base Number Matches：	1

E50A2CBR 数据手册

SEMICONDUCTOR

E50A2CBS, E50A2CBR

STACK SILICON DIFFUSED DIODE

TECHNICAL DATA

ALTERNATOR DIODE FOR AUTOMOTIVE APPLICATION.

FEATURES

·Average Forward Current : I_O=50A.

·Repetive Peak Reverse Voltage : V_RRM=200V

DIM MILLIMETERS

POLARITY

Φ11.5 MAX

Φ12.75+0.09-0.00

E50A2CBS E50A2CBR

Φ1.3 0.04

4.2+ 0.2

(+ Type)

(- Type)

8.0+0.2

TYP 0.5

Φ10.0 0.2

0.4 0.1x45

8.5 MAX

0.2+0.1

28.35 0.5

MAXIMUM RATING (Ta=25℃)

CHARACTERISTIC

SYMBOL

I_F(AV)

I_FSM

RATING

UNIT

Average Forward Current

Peak 1 Cycle Surge Current

Repetitive Peak Revese Voltage

Junction Temperature

380 (60Hz)

200

V_RRM

T_j

-40∼215

℃

B-PF

T_stg

Storage Temperature Range

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃)

CHARACTERISTIC

Forward Voltage

SYMBOL

TEST CONDITION

MIN.

TYP.

MAX.

1.05

UNIT

V_F

V_R

I_FM=100A

200

I_R=5mA

Reverse Voltage

I_R

V_R=200V

Reverse Current

μA

I_FM=100A, I_M=100mA, Pw=100ms

Transient Thermal Resistance

ΔV_F

Reverse Leakage Current Under

High Temperature

HI_R

Ta=150℃, V_R=200V

2.5

t_rr

I_F=100mA, I_R=100mA

DC total Junction to case

Reverse Recovery Time

Temperature Resistance

μs

R_th

0.6

℃/W

2002. 4. 9

Revision No : 2

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