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E28F200B5-T80

更新时间： 2024-11-02 14:29:55

品牌	Logo	应用领域
罗彻斯特 - ROCHESTER		可编程只读存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
45页	1002K
描述
256KX8 FLASH 5V PROM, 80ns, PDSO48, 12 X 20 MM, TSOP-48

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E28F200B5-T80 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TSOP
包装说明：	12 X 20 MM, TSOP-48	针数：	48
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.83
最长访问时间：	80 ns	其他特性：	CAN BE CONFG AS 128K X 16; TOP BOOT BLOCK
JESD-30 代码：	R-PDSO-G48	JESD-609代码：	e0
长度：	18.4 mm	内存密度：	2097152 bit
内存集成电路类型：	FLASH	内存宽度：	8
湿度敏感等级：	NOT SPECIFIED	功能数量：	1
端子数量：	48	字数：	262144 words
字数代码：	256000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	256KX8	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP1	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	编程电压：	5 V
认证状态：	COMMERCIAL	座面最大高度：	1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	MOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.5 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	12 mm
Base Number Matches：	1

12 3 4 5 6 7...45

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
E28F200BL-B150	INTEL	获取价格	2-MBIT (128K x 16, 256K x 8)LOW-POWER BOOT BLOCK FLASH MEMORY FAMILY
E28F200BL-T150	INTEL	获取价格	2-MBIT (128K x 16, 256K x 8)LOW-POWER BOOT BLOCK FLASH MEMORY FAMILY
E28F200BVB60	INTEL	获取价格	2-MBIT SmartVoltage BOOT BLOCK FLASH MEMORY FAMILY
E28F200BV-B60	INTEL	获取价格	2-MBIT SmartVoltage BOOT BLOCK FLASH MEMORY FAMILY
E28F200BVB80	INTEL	获取价格	2-MBIT SmartVoltage BOOT BLOCK FLASH MEMORY FAMILY
E28F200BV-B80	INTEL	获取价格	2-MBIT SmartVoltage BOOT BLOCK FLASH MEMORY FAMILY
E28F200BVT60	INTEL	获取价格	2-MBIT SmartVoltage BOOT BLOCK FLASH MEMORY FAMILY
E28F200BV-T60	INTEL	获取价格	2-MBIT SmartVoltage BOOT BLOCK FLASH MEMORY FAMILY
E28F200BVT80	INTEL	获取价格	2-MBIT SmartVoltage BOOT BLOCK FLASH MEMORY FAMILY
E28F200BV-T80	INTEL	获取价格	2-MBIT SmartVoltage BOOT BLOCK FLASH MEMORY FAMILY