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E28F200BX-BL150

更新时间: 2024-01-12 20:18:34
品牌 Logo 应用领域
英特尔 - INTEL 光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
1页 36K
描述
Flash, 256KX8, 150ns, PDSO56, TSOP-56

E28F200BX-BL150 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:TSOP
包装说明:TSOP-56针数:56
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.51风险等级:5.77
最长访问时间:150 ns其他特性:10K BLOCK ERASE CYCLES; CAN BE CONFG AS 128K X 16; BOTTOM BOOT BLOCK
启动块:BOTTOMJESD-30 代码:R-PDSO-G56
长度:18.4 mm内存密度:2097152 bit
内存集成电路类型:FLASH内存宽度:8
功能数量:1端子数量:56
字数:262144 words字数代码:256000
工作模式:ASYNCHRONOUS组织:256KX8
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TSOP1
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行:PARALLEL编程电压:12 V
认证状态:Not Qualified座面最大高度:1.2 mm
最大供电电压 (Vsup):3.6 V最小供电电压 (Vsup):3 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:YES
技术:CMOS端子形式:GULL WING
端子节距:0.5 mm端子位置:DUAL
类型:NOR TYPE宽度:14 mm
Base Number Matches:1

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