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Datasheet > 存储 > 闪存> E28F200CV-B60
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E28F200CV-B60

更新时间： 2024-02-26 23:54:37
品牌 Logo 应用领域
英特尔 - INTEL 闪存存储内存集成电路光电二极管
页数 文件大小 规格书
55页 629K
描述
2-MBIT SmartVoltage BOOT BLOCK FLASH MEMORY FAMILY

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E28F200CV-B60 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TSOP包装说明：12 X 20 MM, TSOP-48
针数：48Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.51
风险等级：5.83Is Samacsys：N
最长访问时间：110 ns其他特性：CAN BE OPERATED IN 4.5V TO 5.5V; CAN BE CONFG AS 128K X 16; BOTTOM BOOT BLOCK
备用内存宽度：8启动块：BOTTOM
命令用户界面：YES数据轮询：NO
耐久性：100000 Write/Erase CyclesJESD-30 代码：R-PDSO-G48
JESD-609代码：e0长度：18.4 mm
内存密度：2097152 bit内存集成电路类型：FLASH
内存宽度：8功能数量：1
部门数/规模：1,2,1,1端子数量：48
字数：262144 words字数代码：256000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：256KX8
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSOP1封装等效代码：TSSOP48,.8,20
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行：PARALLEL电源：3.3/5 V
编程电压：5 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.2 mm部门规模：16K,8K,96K,128K
最大待机电流：0.000008 A子类别：Flash Memories
最大压摆率：0.065 mA最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：3 V标称供电电压 (Vsup)：3.3 V
表面贴装：YES技术：MOS
温度等级：COMMERCIAL端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子节距：0.5 mm
端子位置：DUAL切换位：NO
类型：NOR TYPE宽度：12 mm
Base Number Matches：1

E28F200CV-B60 数据手册

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SEE NEW DESIGN RECOMMENDATIONS  
E
REFERENCE ONLY  
2-MBIT SmartVoltage BOOT BLOCK  
FLASH MEMORY FAMILY  
28F200BV-T/B, 28F200CV-T/B, 28F002BV-T/B  
Intel SmartVoltage Technology  
5 V or 12 V Program/Erase  
Extended Block Erase Cycling  
100,000 Cycles at Commercial Temp  
10,000 Cycles at Extended Temp  
3.3 V or 5 V Read Operation  
Very High-Performance Read  
5 V: 60 ns Access Time  
Automated Word/Byte Program and  
Block Erase  
3 V: 110 ns Access Time  
Command User Interface  
Status Registers  
Erase Suspend Capability  
Low Power Consumption  
Max 60 mA Read Current at 5 V  
Max 30 mA Read Current at  
3.3 V–3.6 V  
SRAM-Compatible Write Interface  
Automatic Power Savings Feature  
x8/x16-Selectable Input/Output Bus  
28F200 for High Performance 16- or  
32-bit CPUs  
Reset/Deep Power-Down Input  
0.2 µA ICCTypical  
Provides Reset for Boot Operations  
x8-Only Input/Output Architecture  
28F002B for Space-Constrained  
8-bit Applications  
Hardware Data Protection Feature  
Absolute Hardware-Protection for  
Boot Block  
Optimized Array Blocking Architecture  
One 16-KB Protected Boot Block  
Two 8-KB Parameter Blocks  
Write Lockout during Power  
Transitions  
Industry-Standard Surface Mount  
Packaging  
96-KB and 128-KB Main Blocks  
Top or Bottom Boot Locations  
40-, 48-, 56-Lead TSOP  
44-Lead PSOP  
Extended Temperature Operation  
–40 °C to +85 °C  
Footprint Upgradeable to 4-Mbit and  
8-Mbit Boot Block Flash Memories  
ETOX™ IV Flash Technology  
New Design Recommendations:  
For new 2.7 V–3.6 V VCC designs with this device, Intel recommends using the Smart 3 Advanced Boot  
Block. Reference Smart 3 Advanced Boot Block 4-Mbit, 8-Mbit, 16-Mbit Flash Memory Family datasheet,  
order number 290580.  
For new 5 V VCC designs with this device, Intel recommends using the 2-Mbit Smart 5 Boot Block. Reference  
Smart 5 Flash Memory Family 2, 4, 8 Mbit datasheet, order number 290599.  
These documents are also available at Intel’s website, http://www.intel.com/design/flcomp.  
December 1997  
Order Number: 290531-005  
1234567...55

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