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E28F200BX-TL150

更新时间： 2024-09-28 21:09:39

品牌	Logo	应用领域
英特尔 - INTEL		光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
46页	1708K
描述
Flash, 256KX8, 150ns, PDSO56, TSOP-56

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E28F200BX-TL150 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TSOP	包装说明：	TSOP1, TSSOP56,.25,20
针数：	56	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.83	最长访问时间：	150 ns
其他特性：	10K BLOCK ERASE CYCLES; CAN BE CONFG AS 128K X 16; TOP BOOT BLOCK	备用内存宽度：	8
启动块：	TOP	命令用户界面：	YES
数据轮询：	NO	JESD-30 代码：	R-PDSO-G56
JESD-609代码：	e0	长度：	18.4 mm
内存密度：	2097152 bit	内存集成电路类型：	FLASH
内存宽度：	8	功能数量：	1
部门数/规模：	1,2,1,1	端子数量：	56
字数：	262144 words	字数代码：	256000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	256KX8
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSOP1
封装等效代码：	TSSOP56,.25,20	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	3.3/5 V
编程电压：	12 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.2 mm	部门规模：	16K,8K,96K,128K
最大待机电流：	0.0000012 A	子类别：	Flash Memories
最大压摆率：	0.07 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	3 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.5 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
切换位：	NO	类型：	NOR TYPE
宽度：	14 mm	Base Number Matches：	1

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