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E28F200BX-80

更新时间： 2024-11-02 20:27:03

品牌	Logo	应用领域
英特尔 - INTEL		光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
46页	3258K
描述
Flash, 256KX8, 80ns, PDSO56, 14 X 20 MM, TSOP-56

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E28F200BX-80 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TSOP
包装说明：	14 X 20 MM, TSOP-56	针数：	56
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.83
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	80 ns
备用内存宽度：	16	启动块：	BOTTOM
命令用户界面：	YES	数据轮询：	NO
JESD-30 代码：	R-PDSO-G56	JESD-609代码：	e0
长度：	18.4 mm	内存密度：	2097152 bit
内存集成电路类型：	FLASH	内存宽度：	8
功能数量：	1	部门数/规模：	1,2,1,1
端子数量：	56	字数：	262144 words
字数代码：	256000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	256KX8	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSOP1
封装等效代码：	TSSOP56,.25,20	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	5 V
编程电压：	12 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.2 mm	部门规模：	16K,8K,96K,128K
最大待机电流：	0.0001 A	子类别：	Flash Memories
最大压摆率：	0.075 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	MOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.5 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
切换位：	NO	类型：	NOR TYPE
宽度：	14 mm	Base Number Matches：	1

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