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DU28120T

更新时间： 2024-11-10 14:54:43
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MACOM /
页数 文件大小 规格书
4页 603K
描述
RF Power MOSFET Transistor 120W, 2-175MHz, 28V

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DU28120T 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.18配置：SINGLE
最小漏源击穿电压：65 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：24 A
最大漏极电流 (ID)：24 AFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带：VERY HIGH FREQUENCY BANDJESD-30 代码：O-CRFM-F6
元件数量：1端子数量：6
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：200 °C
封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状：ROUND
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：270 W
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子形式：FLAT
端子位置：RADIAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

DU28120T 数据手册

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DU28120T  
RF Power MOSFET Transistor  
120 W, 2 - 175 MHz, 28 V  
Rev. V1  
Package Outline  
Features  
N-Channel enhancement mode device  
DMOS structure  
Lower capacitances for broadband operation  
High saturated output power  
Lower noise figure than bipolar devices  
RoHS Compliant  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS AT 25° C  
Parameter  
Symbol  
VDS  
VGS  
IDS  
Rating  
65  
Units  
V
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
Drain-Source Current  
Power Dissipation  
20  
V
24  
A
PD  
269  
W
Junction Temperature  
Storage Temperature  
Thermal Resistance  
TJ  
200  
°C  
LETTER  
MILLIMETERS  
INCHES  
TSTG  
θJC  
-55 to +150  
0.65  
°C  
DIM  
A
MIN  
24.64  
18.29  
21.21  
12.60  
6.22  
3.81  
5.33  
5.08  
3.05  
2.29  
4.06  
6.68  
.10  
MAX  
24.89  
18.54  
21.97  
12.85  
6.48  
4.06  
5.59  
5.33  
3.30  
2.54  
4.57  
7.49  
.15  
MIN  
.970  
.720  
.835  
.496  
.245  
.150  
.210  
.200  
.120  
.90  
MAX  
.980  
.730  
.865  
.506  
.255  
.160  
.220  
.210  
.130  
.100  
.180  
.295  
.006  
°C/W  
B
C
D
E
TYPICAL DEVICE IMPEDANCE  
F (MHz)  
30  
ZIN (Ω)  
4.0 - j8.0  
1.0 - j2.5  
1.0 - j0.5  
ZLOAD (Ω)  
3.4 + j2.4  
2.2 +j1.3  
2.2 + j0.0  
F
50  
G
H
J
100  
VDD = 28V, IDQ = 600mA, POUT = 120 W  
ZIN is the series equivalent input impedance of the device  
from gate to source.  
K
L
.160  
.263  
.004  
M
N
ZLOAD is the optimum series equivalent load impedance  
as measured from drain to ground.  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS AT 25°C  
Parameter  
Drain-Source Breakdown Voltage  
Drain-Source Leakage Current  
Gate-Source Leakage Current  
Gate Threshold Voltage  
Forward Transconductance  
Input Capacitance  
Symbol Min Max  
Units  
V
Test Conditions  
BVDSS  
IDSS  
65  
-
-
6.0  
6.0  
6.0  
-
VGS = 0.0 V , IDS = 3.0 mA  
VGS = 28.0 V , VGS = 0.0 V  
VGS = 20.0 V , VDS = 0.0 V  
VDS = 10.0 V , IDS = 600.0 mA  
mA  
µA  
V
IGSS  
-
VGS(TH)  
GM  
2.0  
3.0  
-
S
VDS = 10.0 V , IDS = 6000.0 mA , Δ VGS = 1.0V, 80 μs Pulse  
VDS = 28.0 V , F = 1.0 MHz  
CISS  
270  
240  
48  
-
pF  
pF  
pF  
dB  
%
COSS  
Output Capacitance  
-
VDS = 28.0 V , F = 1.0 MHz  
Reverse Capacitance  
Power Gain  
CRSS  
GP  
-
VDS = 28.0 V , F = 1.0 MHz  
13  
60  
-
VDD = 28.0 V, IDQ = 600 mA, POUT = 120.0 W F =175 MHz  
VDD = 28.0 V, IDQ = 600 mA, POUT = 120.0 W F =175 MHz  
VDD = 28.0 V, IDQ = 600 mA, POUT = 120.0 W F =175 MHz  
Drain Efficiency  
ŋD  
-
Load Mismatch Tolerance  
VSWR-T  
30:1  
-
1
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Visit www.macom.com for additional data sheets and product information.  
For further information and support please visit:  
https://www.macom.com/support  
1234

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与DU28120T相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
DU28120U ETC

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 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 65V V(BR)DSS | 24A I(D) | SOT-123
DU28120V TE

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 		RF Power MOSFET Transistor 120W, 2-175MHz, 28V
DU28120V MACOM

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