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DU2880U

更新时间： 2024-11-11 14:53:55
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MACOM /
页数 文件大小 规格书
4页 623K
描述
RF Power MOSFET Transistor 80W, 2-175MHz, 28V

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DU2880U 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：FLANGE MOUNT, O-CRFM-F4Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.18
Is Samacsys：N配置：SINGLE
最小漏源击穿电压：65 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：16 A
最大漏极电流 (ID)：16 AFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带：VERY HIGH FREQUENCY BANDJESD-30 代码：O-CRFM-F4
元件数量：1端子数量：4
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：200 °C
封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状：ROUND
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：207 W
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子形式：FLAT
端子位置：RADIAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

DU2880U 数据手册

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DU2880U  
RF Power MOSFET Transistor  
80 W, 2 - 175 MHz, 28 V  
Rev. V1  
Package Outline  
Features  
N-Channel enhancement mode device  
DMOS structure  
Lower capacitances for broadband operation  
High saturated output power  
Lower noise figure than bipolar devices  
RoHS Compliant  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS AT 25° C  
Parameter  
Symbol  
VDS  
VGS  
IDS  
Rating  
Units  
V
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
Drain-Source Current  
Power Dissipation  
65  
20  
V
16  
A
PD  
206  
W
Junction Temperature  
Storage Temperature  
Thermal Resistance  
TJ  
200  
°C  
TSTG  
θJC  
-65 to +150  
0.85  
°C  
°C/W  
LETTER  
DIM  
MILLIMETERS  
INCHES  
TYPICAL DEVICE IMPEDANCE  
MIN  
24.64  
18.29  
25.91  
12.60  
6.22  
5.59  
3.05  
2.21  
3.91  
6.53  
.10  
MAX  
24.89  
18.54  
26.42  
12.85  
6.48  
5.84  
3.30  
2.59  
4.42  
7.34  
.15  
MIN  
.970  
.720  
1.020  
.496  
.245  
.220  
.120  
.087  
.154  
.257  
.004  
MAX  
.980  
.730  
1.040  
.506  
.255  
.230  
.130  
.102  
.174  
.289  
.006  
F (MHz)  
30  
ZIN (Ω)  
5.4 - j4.4  
2.5 - j4.4  
1.6 - j3.4  
0.7 - j1.2  
ZLOAD (Ω)  
A
B
C
D
E
F
G
H
J
5.7 +j4.7  
3.4 + j3.5  
2.4 + j2.4  
1.7 + j0.8  
50  
100  
175  
VDD = 28V, IDQ = 400mA, POUT = 80 W  
ZIN is the series equivalent input impedance of the device  
from gate to source.  
K
L
ZLOAD is the optimum series equivalent load impedance  
as measured from drain to ground.  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS AT 25°C  
Parameter  
Drain-Source Breakdown Voltage  
Drain-Source Leakage Current  
Gate-Source Leakage Current  
Gate Threshold Voltage  
Forward Transconductance  
Input Capacitance  
Symbol  
BVDSS  
IDSS  
Min  
65  
-
Max  
-
Units  
V
Test Conditions  
VGS = 0.0 V , IDS = 20.0 mA  
VGS = 28.0 V , VGS = 0.0 V  
VGS = 20.0 V , VDS = 0.0 V  
VDS = 10.0 V , IDS = 400.0 mA  
4.0  
4.0  
6.0  
-
mA  
µA  
V
IGSS  
-
VGS(TH)  
GM  
2.0  
2.0  
-
S
VDS = 10.0 V , IDS = 4.0 A , Δ VGS = 1.0V, 80 μs Pulse  
VDS = 28.0 V , F = 1.0 MHz  
CISS  
180  
160  
32  
-
pF  
pF  
pF  
dB  
%
Output Capacitance  
-
VDS = 28.0 V , F = 1.0 MHz  
COSS  
CRSS  
GP  
Reverse Capacitance  
Power Gain  
-
VDS = 28.0 V , F = 1.0 MHz  
13  
60  
-
VDD = 28.0 V, IDQ = 400 mA, POUT = 80.0 W F =175 MHz  
VDD = 28.0 V, IDQ = 400 mA, POUT = 80.0 W F =175 MHz  
VDD = 28.0 V, IDQ = 400 mA, POUT = 80.0 W F =175 MHz  
Drain Efficiency  
ŋD  
-
Load Mismatch Tolerance  
VSWR-T  
30:1  
-
1
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Visit www.macom.com for additional data sheets and product information.  
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与DU2880U相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
DU2880V TE

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 		RF MOSFET Power Transistor, 8OW, 28V 2 - 175 MHz
DU33 ETC

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 		硅NPN功率晶体管
DU500FD100 MICROSEMI

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