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DU2860T

更新时间: 2024-01-20 21:32:25
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泰科 - TE 晶体晶体管射频放大器局域网
页数 文件大小 规格书
3页 179K
描述
RF MOSFET Power Transistor, 6OW, 28V 2 - 175 MHz

DU2860T 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Transferred
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.32配置:SINGLE
最小漏源击穿电压:65 V最大漏极电流 (ID):12 A
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最大反馈电容 (Crss):24 pF
最高频带:VERY HIGH FREQUENCY BANDJESD-30 代码:O-CRFM-F4
元件数量:1端子数量:4
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:200 °C
封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状:ROUND
封装形式:FLANGE MOUNT极性/信道类型:N-CHANNEL
功耗环境最大值:159 W最小功率增益 (Gp):13 dB
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子形式:FLAT端子位置:RADIAL
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

DU2860T 数据手册

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