5秒后页面跳转
DU2880U PDF预览

DU2880U

更新时间: 2024-01-14 06:39:08
品牌 Logo 应用领域
泰科 - TE 晶体晶体管射频放大器局域网
页数 文件大小 规格书
3页 192K
描述
RF MOSFET Power Transistor, 8OW, 28V 2 - 175 MHz

DU2880U 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Transferred
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.3Is Samacsys:N
配置:COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS最小漏源击穿电压:65 V
最大漏极电流 (ID):8 AFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss):16 pF最高频带:VERY HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码:R-CDFM-F8元件数量:2
端子数量:8工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:200 °C封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:N-CHANNEL功耗环境最大值:206 W
最小功率增益 (Gp):13 dB认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子形式:FLAT
端子位置:DUAL晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

DU2880U 数据手册

 浏览型号DU2880U的Datasheet PDF文件第2页浏览型号DU2880U的Datasheet PDF文件第3页 

与DU2880U相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
DU2880V TE RF MOSFET Power Transistor, 8OW, 28V 2 - 175 MHz

获取价格

DU33 ETC 硅NPN功率晶体管

获取价格

DU500FD100 MICROSEMI Rectifier Diode, 1 Element, 500A, 1000V V(RRM)

获取价格

DU500FD40 MICROSEMI Rectifier Diode, 1 Element, 500A, 400V V(RRM)

获取价格

DU500FD60 MICROSEMI Rectifier Diode, 1 Element, 500A, 600V V(RRM)

获取价格

DU66 ETC Réf. AA15, AAC16, AAC20, AB15, ABC16, ABC20,

获取价格