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DU28200M PDF预览

DU28200M

更新时间： 2024-11-10 14:55:43
品牌 Logo 应用领域
MACOM 局域网放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 626K
描述
RF Power MOSFET Transistor 200W, 2-175MHz, 28V

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DU28200M 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.23Is Samacsys：N
外壳连接：SOURCE配置：COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS
最小漏源击穿电压：65 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：20 A
最大漏极电流 (ID)：20 AFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带：VERY HIGH FREQUENCY BANDJESD-30 代码：R-CDFM-F4
元件数量：2端子数量：4
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：200 °C
封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：388 W
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

DU28200M 数据手册

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DU28200M  
RF Power MOSFET Transistor  
200 W, 2 - 175 MHz, 28 V  
Rev. V1  
Package Outline  
Features  
N-Channel enhancement mode device  
DMOS structure  
Lower capacitances for broadband operation  
High saturated output power  
Lower noise figure than bipolar devices  
RoHS Compliant  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS AT 25° C  
Parameter  
Symbol  
VDS  
VGS  
IDS  
Rating  
65  
Units  
V
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
Drain-Source Current  
Power Dissipation  
20  
V
20  
A
PD  
389  
W
Junction Temperature  
Storage Temperature  
Thermal Resistance  
TJ  
200  
°C  
TSTG  
θJC  
-65 to +150  
0.45  
°C  
LETTER  
DIM  
MILLIMETERS  
INCHES  
°C/W  
MIN  
MAX  
30.61  
23.90  
14.22  
9.88  
9.65  
9.65  
5.84  
19.30  
9.65  
3.38  
1.57  
2.74  
5.69  
.13  
MIN  
1.195  
.931  
.540  
.379  
.370  
.370  
.220  
.740  
.370  
.123  
.058  
.094  
.198  
.002  
MAX  
1.205  
.941  
.560  
3.89  
.389  
.389  
.230  
.760  
.380  
.133  
.062  
.108  
.224  
.005  
A
B
C
D
E
F
30.35  
23.65  
13.72  
9.63  
9.40  
9.40  
5.59  
18.80  
9.40  
3.12  
1.47  
2.39  
5.03  
.05  
TYPICAL DEVICE IMPEDANCE  
F (MHz)  
30  
ZIN (Ω)  
ZLOAD (Ω)  
2.7 - j4.8  
1.6 - j3.0  
1.5 - j2.0  
1.6 - j1.0  
1.8 - j0.5  
7.2 - j1.9  
5.25 - j1.4  
5.0 - j0.7  
5.2 - j0.6  
5.5 - j0.5  
100  
150  
175  
G
H
J
200  
VDD = 28V, IDQ = 1000mA, POUT = 200 W  
K
L
ZIN is the series equivalent input impedance of the device  
from gate to source.  
M
N
P
ZLOAD is the optimum series equivalent load impedance  
as measured from drain to ground.  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS AT 25°C  
Parameter  
Drain-Source Breakdown Voltage  
Drain-Source Leakage Current  
Gate-Source Leakage Current  
Gate Threshold Voltage  
Forward Transconductance  
Input Capacitance  
Symbol  
BVDSS  
IDSS  
Min  
65  
-
Max  
-
Units  
Test Conditions  
V
mA  
µA  
V
VGS = 0.0 V , IDS = 25.0 mA  
VGS = 28.0 V , VGS = 0.0 V  
VGS = 20.0 V , VDS = 0.0 V  
VDS = 10.0 V , IDS = 500.0 mA  
5.0  
5.0  
6.0  
-
IGSS  
-
VGS(TH)  
GM  
2.0  
2.5  
-
S
VDS = 10.0 V , IDS = 5.0A , Δ VGS = 1.0V, 80 μs Pulse  
VDS = 28.0 V , F = 1.0 MHz  
CISS  
225  
200  
40  
-
pF  
pF  
pF  
dB  
%
Output Capacitance  
-
VDS = 28.0 V , F = 1.0 MHz  
COSS  
CRSS  
GP  
Reverse Capacitance  
Power Gain  
-
VDS = 28.0 V , F = 1.0 MHz  
13  
55  
-
VDD = 28.0 V, IDQ = 1000 mA, POUT = 200.0 W F =175 MHz  
VDD = 28.0 V, IDQ = 1000 mA, POUT = 200.0 W F =175 MHz  
VDD = 28.0 V, IDQ = 1000 mA, POUT = 200.0 W F =175 MHz  
Drain Efficiency  
ŋD  
-
Load Mismatch Tolerance  
VSWR-T  
10:1  
-
1
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For further information and support please visit:  
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