DTDG14GP

更新时间： 2024-10-28 22:19:59

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罗姆 - ROHM		晶体驱动器二极管齐纳二极管数字晶体管
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2页	62K
描述
Digital transistor built in resistor and zener diode Driver 60V, 1A

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DTDG14GP 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.39	最大集电极电流 (IC)：	1 A
最小直流电流增益 (hFE)：	300	JESD-609代码：	e2
元件数量：	1	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	1.5 W	子类别：	BIP General Purpose Small Signal
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Copper (Sn/Cu)
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

DTDG14GP 数据手册

DTDG14GP

Transistors

Digital transistor (built in resistor and

zener diode) Driver (60V, 1A)

DTDG14GP

!External dimensions (Units : mm)

!Features

1) High h .

CE C

(typ. h =750 V /I =2V/0.5A)

2) Low saturation voltage,

V^CE(sat)=0.4V

+0.2

4.5

−0.1

+0.2

−0.1

1.5

1.6 0.1

(I^C/I^B=500mA/5mA)

3) Built-in zener diode to protect the

transistor against reverse voltages

when connected to alow load.

(1) (2) (3)

+0.1

0.4

−0.05

0.5 0.1

3.0 0.2

0.4 0.1

1.5 0.1

0.4 0.1

1.5 0.1

(1) Base

(2) Collector

(3) Emitter

ROHM : MPT3

EIAJ : SC-62

Abbreviated symbol : E01

!Structure

NPN digital transistor

(with single built resistor and zener

diode)

!Absolute maximum ratings (Ta = 25°C)

!Equivalent circuit

Parameter

Symbol

Limits

Unit

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

VCBO

VCEO

VEBO

60 10

(2)

60 10

(1)

(3)

Collector current

0.5

A(Pulse) ∗1

R=10kΩ

(1) : Base

(2) : Collector

(3) : Emitter

Collector power dissipation

∗2

Junction temperature

Storage temperature

150

°C

Tstg

−55~+150

∗1 Pw≤10ms, Duty cycle≤1/2

∗2 When mounted on a 40×40×0.7 mm ceramic board.

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