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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| 风险等级： | 5.7 | 其他特性： | DIGITAL, BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 4.5 |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 1 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 50 V | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 300 | JESD-30 代码： | R-PSSO-F3 |
| JESD-609代码： | e2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | TIN COPPER | 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 10 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| DTDK14GP | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | 10V V(BR)CEO | 2A I(C) | SOT-89 |
|
| DTDK14GPT100 | ROHM |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 10V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 |
|
| DTDK14GPT101 | ROHM |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 10V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 |
|
| DTDM12ZP | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | 30V V(BR)CEO | 3A I(C) | SOT-89 |
|
| DTDM12ZPPT100 | ROHM |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 |
|
| DTDM12ZPPT101 | ROHM |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 |
|
| DTDS14GP | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | 70V V(BR)CEO | 2A I(C) | SC-62 |
|
| DTDSE1-10.000MHZ | CALIBER |
获取价格 |
Series - Fundamental Quartz Crystal |
|
| DTDSE1-19.999MHZ | CALIBER |
获取价格 |
Series - Fundamental Quartz Crystal |
|
| DTDSE1-3.579545MHZ | CALIBER |
获取价格 |
Series - Fundamental Quartz Crystal |
|
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