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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.37 | 其他特性： | DIGITAL |
| 最大集电极电流 (IC)： | 1 A | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 300 | JESD-30 代码： | R-PSSO-F3 |
| JESD-609代码： | e2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 1.5 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | BIP General Purpose Small Signal | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin/Copper (Sn/Cu) | 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 10 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 80 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| DTDG23YP_1 | ROHM |
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1A / 60V Digital transistor (with built-in resistors and zener diode) |
|
| DTDG23YPFRA | ROHM |
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DTDG23YPFRA is the high reliability Automotive transistor, suitable for inverter and inter |
|
| DTDG23YPT101 | ROHM |
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Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 |
|
| DTDK14GP | ETC |
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TRANSISTOR | 10V V(BR)CEO | 2A I(C) | SOT-89 |
|
| DTDK14GPT100 | ROHM |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 10V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 |
|
| DTDK14GPT101 | ROHM |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 10V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 |
|
| DTDM12ZP | ETC |
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TRANSISTOR | 30V V(BR)CEO | 3A I(C) | SOT-89 |
|
| DTDM12ZPPT100 | ROHM |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 |
|
| DTDM12ZPPT101 | ROHM |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 |
|
| DTDS14GP | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | 70V V(BR)CEO | 2A I(C) | SC-62 |
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