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DTDG23YP_1 PDF预览

DTDG23YP_1

更新时间： 2024-10-29 03:30:47
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 晶体二极管齐纳二极管数字晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 71K
描述
1A / 60V Digital transistor (with built-in resistors and zener diode)

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DTDG23YP_1 数据手册

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DTDG23YP  
Transistors  
1A / 60V Digital transistor  
(with built-in resistors and zener diode)  
DTDG23YP  
zApplications  
zExternal dimensions (Unit : mm)  
Inverter, Interface, Driver  
MPT3  
4.5  
1.5  
zFeatures  
1.6  
1) High DC current gain. (Min. 300 at VO / IO=2V /  
0.5A)  
2) Low Vo(on). (Typ. 0.4V at IO / II=500mA / 5mA)  
3) Built-in zener diode gives strong protection against  
reverse surge by L-load (an inductive load).  
(1)  
(2)  
(3)  
0.4  
0.5  
3.0  
0.4  
0.4  
1.5  
1.5  
zStructure  
NPN epitaxial planar silicon transistor  
(with built-in resistors and zener diode)  
(1)Base  
(2)Collector  
(3)Emitter  
Abbreviated symbol : E02  
zPackaging specifications  
Package  
MPT3  
Taping  
T100  
Packaging type  
Code  
Part No.  
Basic ordering unit (pieces)  
1000  
DTDG23YP  
zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)  
zEquivalent circuit  
Parameter  
Supply voltage  
Input voltage  
Symbol  
Limits  
60 10  
−6 to +40  
1
Unit  
V
OUT  
VCC  
R
1
V
IN  
IN  
I
C
A
A
R
2
Collector current  
1
2
I
CP  
2
∗
∗
GND  
OUT  
Power dissipation  
Pd  
Tj  
1.5  
150  
W
C
C
Junction temperature  
Storage temperature  
IN  
Tstg  
−55 to +150  
<
<
1 Pw 10ms, Duty cycle 2%  
∗
∗
−
−
GND  
2 When mounted on 40 40 0.7mm ceramic board.  
R1  
=2.2kΩ R =10kΩ  
2
zElectrical characteristics (Ta=25°C)  
Unit  
V
Parameter  
Symbol  
Min.  
Typ.  
Max.  
0.3  
−
0.4  
3.6  
0.5  
−
Conditions  
V
V
I(off)  
−
2
−
−
−
−
−
V
CC=5V , I  
=0.4V , I  
/I =500mA/5mA  
=5V  
CC=40V , V  
=2V , I =500mA  
CE=5V , I  
O
=100µA  
Input voltage  
I(on)  
VO  
O
=100mA  
Output voltage  
V
O(on)  
−
−
−
300  
V
mA  
µA  
−
MHz  
kΩ  
kΩ  
IO I  
Input current  
I
I
V
V
V
V
I
Output current  
I
O(off)  
I
=0V  
DC current gain  
G
I
−
O
O
Transition frequency  
Input resistance  
f
T
−
1.54  
7
80  
2.2  
10  
−
2.86  
E
= −0.1A , f=30MHz  
∗
R
1
2
−
−
Emitter-base resistance  
Characteristics of built-in transistor  
R
13  
∗
Rev.B  
1/2  
123

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与DTDG23YP_1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
DTDG23YPFRA ROHM

获取价格

 		DTDG23YPFRA is the high reliability Automotive transistor, suitable for inverter and inter
DTDG23YPT101 ROHM

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3
DTDK14GP ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | 10V V(BR)CEO | 2A I(C) | SOT-89
DTDK14GPT100 ROHM

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 10V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3
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 		Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 10V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3
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DTDM12ZPPT101 ROHM

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 		Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3
DTDS14GP ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | 70V V(BR)CEO | 2A I(C) | SC-62
DTDSE1-10.000MHZ CALIBER

获取价格

 		Series - Fundamental Quartz Crystal

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