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DTDG14GPPT101

更新时间: 2024-10-29 18:42:27
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罗姆 - ROHM 晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 156K
描述
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin,

DTDG14GPPT101 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:ActiveReach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.29.00.95
风险等级:5.68其他特性:DIGITAL, BUILT IN BIAS RESISTOR
外壳连接:COLLECTOR最大集电极电流 (IC):1 A
集电极-发射极最大电压:50 V配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE):300JESD-30 代码:R-PSSO-F3
JESD-609代码:e2元件数量:1
端子数量:3封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260极性/信道类型:NPN
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子面层:TIN COPPER端子形式:FLAT
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:10
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

DTDG14GPPT101 数据手册

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