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DSB1A40 PDF预览

DSB1A40

更新时间： 2024-09-15 22:29:55
品牌 Logo 应用领域
CDI-DIODE 肖特基二极管
页数 文件大小 规格书
2页 40K
描述
1 AMP SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS

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DSB1A40 技术参数

生命周期：TransferredReach Compliance Code：unknown
风险等级：5.73其他特性：METALLURGICALLY BONDED
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码：DO-41JESD-30 代码：O-XALF-W2
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：1 A
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：ROUND
封装形式：LONG FORM认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：40 V表面贴装：NO
技术：SCHOTTKY端子面层：TIN LEAD
端子形式：WIRE端子位置：AXIAL
Base Number Matches：1

DSB1A40 数据手册

 浏览型号DSB1A40的Datasheet PDF文件第2页 
1N5819  
and  
• 1N5819-1 AND 1N6761-1AVAILABLE IN JAN,JANTX, JANTXV,  
AND JANS PER MIL-PRF-19500/586  
DSB5817 and DSB5818  
and  
1N6759 thru 1N6761  
and  
• 1 AMP SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS  
• HERMETICALLY SEALED  
• METALLURGICALLY BONDED  
DSB1A20 thru DSB1A100  
MAXIMUM RATINGS  
Operating Temperature: -55°C to +125°C  
Storage Temperature: -55°C to +150°C  
Average Rectified Forward Current: 1.0 AMP @T +55°C, L = 3/8”  
L
Derating: 14 mA / °C above T  
+55°C, L = 3/8”  
L =  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ 25°C, unless otherwise specified.  
WORKING PEAK  
MAXIMUM REVERSE  
LEAKAGE CURRENT  
AT RATED VOLTAGE  
CDI  
TYPE  
REVERSE  
VOLTAGE  
MAXIMUM FORWARD VOLTAGE  
NUMBER  
V
RWM  
V
@0.1A  
V
@1.0A  
V
@3.1A  
I
@25°C  
mA  
I
R
@100°C  
mA  
F
F
F
R
VOLTS  
20  
VOLTS  
0.36  
VOLTS  
0.60  
VOLTS  
0.9  
DSB5817  
DSB5818  
1N5819  
0.10  
0.10  
0.10  
0.05  
5.0  
FIGURE 1  
30  
0.36  
0.60  
0.9  
5.0  
40  
0.36  
0.60  
0.9  
5.0  
DESIGN DATA  
J,JX,JV & JS  
5819-1  
45  
0.34  
0.49  
0.8  
5.0  
1N6759  
1N6760  
1N6761  
60  
80  
0.38  
0.38  
0.38  
0.38  
0.69  
0.69  
0.69  
0.69  
NA  
NA  
NA  
NA  
0.10  
0.10  
0.10  
0.10  
6.0  
6.0  
CASE: Hermetically sealed, DO – 41  
LEAD MATERIAL: Copper clad steel  
LEAD FINISH: Tin / Lead  
100  
100  
6.0  
J,JX,JV & JS  
6761-1  
12.0  
THERMAL RESISTANCE: (R  
˚C/W maximum at L = .375 inch  
): 70  
OJEC  
DSB1A20  
DSB1A30  
DSB1A40  
DSB1A50  
DSB1A60  
DSB1A80  
DSB1A100  
20  
30  
0.36  
0.36  
0.36  
0.36  
0.38  
0.38  
0.38  
0.60  
0.60  
0.60  
0.60  
0.69  
0.69  
0.69  
0.9  
0.9  
0.9  
0.9  
NA  
NA  
NA  
0.10  
0.10  
0.10  
0.10  
0.10  
0.10  
0.10  
5.0  
5.0  
THERMAL IMPEDANCE: (Z  
): 12  
OJX  
40  
5.0  
˚C/W maximum  
50  
5.0  
POLARITY: Cathode end is banded.  
MOUNTING POSITION: Any  
60  
12.0  
12.0  
12.0  
80  
100  
22 COREY STREET, MELROSE, MASSACHUSETTS 02176  
PHONE (781) 665-1071  
WEBSITE: http://www.cdi-diodes.com  
FAX (781) 665-7379  
E-mail: mail@cdi-diodes.com  
12

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与DSB1A40相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
DSB1A40-1 MICROSEMI

获取价格

 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 40V V(RRM),
DSB1A474K1S RENESAS

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 		CAP,TANTALUM / TA2O5,470NF,10VDC,10% -TOL,10% +TOL
DSB1A474M1S RENESAS

获取价格

 		CAP,TANTALUM / TA2O5,470NF,10VDC,20% -TOL,20% +TOL
DSB1A475K1S NEC

获取价格

 		CAPACITOR, TANTALUM, SOLID, POLARIZED, 10V, 4.7uF, THROUGH HOLE MOUNT, RADIAL LEADED
DSB1A475M1S NEC

获取价格

 		CAPACITOR, TANTALUM, SOLID, POLARIZED, 10V, 4.7uF, THROUGH HOLE MOUNT, RADIAL LEADED
DSB1A476K1S RENESAS

获取价格

 		Tantalum Capacitor, Polarized, Tantalum (dry/solid), 10V, 10% +Tol, 10% -Tol, 47uF, Throug
DSB1A476M1S NEC

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DSB1A50 CDI-DIODE

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 		1 AMP SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS
DSB1A60 CDI-DIODE

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 		1 AMP SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS
DSB1A60E3 MICROSEMI

获取价格

 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 60V V(RRM), Silicon, DO-41, ROHS COMPLIANT, HERM

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