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DSB1A476M1S

更新时间： 2024-11-25 20:56:11

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日电电子 - NEC		电容器
页数	文件大小	规格书
2页	37K
描述
CAPACITOR, TANTALUM, SOLID, POLARIZED, 10V, 47uF, THROUGH HOLE MOUNT, RADIAL LEADED

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DSB1A476M1S 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.8	电容：	47 µF
电容器类型：	TANTALUM CAPACITOR	介电材料：	TANTALUM (DRY/SOLID)
JESD-609代码：	e0	漏电流：	0.0047 mA
安装特点：	THROUGH HOLE MOUNT	负容差：	20%
端子数量：	2	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-55 °C	封装形状：	DISK PACKAGE
极性：	POLARIZED	正容差：	20%
额定（直流）电压（URdc）：	10 V	表面贴装：	NO
Delta切线：	0.08	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形状：	WIRE	Base Number Matches：	1

DSB1A476M1S 数据手册

DSB Series Tantalum Chip Capacitors

PERFORMANCE CHARACTERISTICS

DIMENSIONS [mm]

Operating temperature range

−55 to +85°C with no voltage derating

Surge voltage

MAX.

D1 MAX.

Rated voltage

Surge

6.3

Size

Code

Capacitance (at 25°C, 120 Hz)

NA 2.0 3.0 4.3 5.1

NB 2.3 3.0 4.5 5.3

NC 2.3 3.2 4.8 5.5

ND 2.5 3.2 5.0 5.8

NE 2.6 3.2 5.0 5.8

NF 2.8 3.2 5.1 5.9

NG 3.0 3.4 5.2 6.0

NH 3.4 3.8 5.4 6.2

NJ 3.7 4.1 5.6 6.4

NK 4.0 4.3 6.2 7.0

NL 4.5 4.5 6.4 7.2

NM 4.7 4.7 7.0 7.8

Range

Tolerance

0.01 to 100 µF

± 20%, ±10%

2.2 ± 0.5

Capacitance change with temperature

Not to exceed −12% at −55°C and +12% at +85°C

φ 0.4

Tangent of loss angle (at 25°C, 120 Hz)

0.01 µF to 1.0 µF

1.5 µF to 6.8 µF

10 µF to 68 µF

100 µF

less than 0.04

less than 0.06

less than 0.08

less than 0.10

DC leakage current (at 25°C)

•

0.01 C V* µA or 0.5 µA whichever is greater

Damp heat (90 to 95% RH at 40°C, 21 days (504 h))

Capacitance change

Tangent of loss angle

DC Leakage current

± 5%

initial requirements

Endurance (at 85°C, DC rated voltage, 1000 h)

Capacitance change

Tangent of loss angle

DC Leakage current

±10%

initial requirements

125% of initial requirements

DC rated

voltage

6.3

µF

0.01

0.015

0.022

0.033

0.047

0.068

0.1

PART NUMBER SYSTEM

DSB 0G 106

Lead form 1S

Capacitance

tolerance

M : ±20%

K : ±10%

0.15

0.22

0.33

0.44

0.68

1.0

Capacitance (pF)

First two digits represent significant figures.

third digit specifies number of zeros to

follow.

DC rated voltage

0G:4 V, 0J:6.3 V, 1A:10 V, 1C:16 V

1D:20 V, 1E:25 V, 1V:35 V

1.5

DSB series

2.2

MARKINGS

3.3

The standard markinbg shows capacitance, DC working volt-

age, and polarity.

4.7

6.8

DC rated voltage (V)

Polarity

100

Capacitance (µ F)

* : Product of capacitance in µF and voltage in V.

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
DSB1A50	CDI-DIODE	获取价格	1 AMP SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS
DSB1A60	CDI-DIODE	获取价格	1 AMP SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS
DSB1A60E3	MICROSEMI	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 60V V(RRM), Silicon, DO-41, ROHS COMPLIANT, HERM
DSB1A70	MICROSEMI	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 70V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED PACKAGE-2
DSB1A70	CDI-DIODE	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 70V V(RRM), Silicon,
DSB1A80	CDI-DIODE	获取价格	1 AMP SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS
DSB1A80E3	MICROSEMI	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 80V V(RRM), Silicon, DO-41, ROHS COMPLIANT, HERM
DSB1D225K1S	RENESAS	获取价格	CAPACITOR, TANTALUM, SOLID, POLARIZED, 20 V, 2.2 uF, THROUGH HOLE MOUNT, RADIAL LEADED
DSB1D225K1S	NEC	获取价格	CAPACITOR, TANTALUM, SOLID, POLARIZED, 20V, 2.2uF, THROUGH HOLE MOUNT, RADIAL LEADED
DSB1I40SA	IXYS	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 40V V(RRM), Silicon, DO-214AC, ROHS COMPLIANT, P

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