5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 含铅 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | , | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.76 |
| 电容： | 2.2 µF | 电容器类型： | TANTALUM CAPACITOR |
| 介电材料： | TANTALUM (DRY/SOLID) | 漏电流： | 0.0005 mA |
| 安装特点： | THROUGH HOLE MOUNT | 负容差： | 10% |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 封装形状： | DISK PACKAGE |
| 极性： | POLARIZED | 正容差： | 10% |
| 额定（直流）电压（URdc）： | 20 V | 表面贴装： | NO |
| Delta切线： | 0.06 | 端子形状： | WIRE |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| DSB1I40SA | IXYS |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 40V V(RRM), Silicon, DO-214AC, ROHS COMPLIANT, P |
|
| DSB1I40SA | LITTELFUSE |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 40V V(RRM), Silicon, DO-214AC, ROHS COMPLIANT, P |
|
| DSB1I60SA | IXYS |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 60V V(RRM), Silicon, DO-214AC, ROHS COMPLIANT, P |
|
| DSB20C60PN | LITTELFUSE |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 10A, 60V V(RRM), Silicon, TO-220AB, ROHS CO |
|
| DSB20C60PN | IXYS |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 10A, 60V V(RRM), Silicon, TO-220AB, ROHS CO |
|
| DSB20I15PA | LITTELFUSE |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 20A, 15V V(RRM), Silicon, TO-220AC, ROHS CO |
|
| DSB20I15PA | IXYS |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 20A, 15V V(RRM), Silicon, TO-220AC, ROHS CO |
|
| DSB2810 | CDI-DIODE |
获取价格 |
SCHOTTKY BARRIER DIODES |
|
| DSB2810 | MICROSEMI |
获取价格 |
SCHOTTKY BARRIER DIODES |
|
| DSB2810E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Schottky Barrier Diode Qualified per MIL-PRF-19500/444 |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
