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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Not Recommended | 零件包装代码： | SOIC |
| 包装说明： | LOW PROFILE, SMT-34 | 针数： | 34 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | 3A991.B.2.A |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.64 |
| 最长访问时间： | 100 ns | 其他特性： | 10 YEAR DATA RETENTION |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-U34 | 长度： | 24.5745 mm |
| 内存密度： | 4194304 bit | 内存集成电路类型： | NON-VOLATILE SRAM MODULE |
| 内存宽度： | 8 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 34 |
| 字数： | 524288 words | 字数代码： | 512000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 组织： | 512KX8 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | SOJ-I |
| 封装等效代码： | MODULE,34LEAD,1.0 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 225 | 电源： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 6.35 mm |
| 最大待机电流： | 0.005 A | 子类别： | SRAMs |
| 最大压摆率： | 0.085 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.25 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.75 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | INDUSTRIAL | 端子形式： | J INVERTED |
| 端子节距： | 1.27 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 宽度： | 21.5265 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| DS1650ABL-70 | MAXIM |
获取价格 |
Non-Volatile SRAM Module, 512KX8, 70ns, CMOS, PDSO34, LOW PROFILE, SMT-34 |
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| DS1650ABL-70 | DALLAS |
获取价格 |
Non-Volatile SRAM Module, 512KX8, 70ns, CMOS, |
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| DS1650ABL-70-IND | MAXIM |
获取价格 |
Non-Volatile SRAM Module, 512KX8, 70ns, CMOS, PDSO34, LOW PROFILE, SMT-34 |
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| DS1650ABL-70-IND | DALLAS |
获取价格 |
Non-Volatile SRAM Module, 512KX8, 70ns, CMOS, |
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| DS1650ABL-85 | MAXIM |
获取价格 |
Non-Volatile SRAM Module, 512KX8, 85ns, CMOS, PDSO34, LOW PROFILE, SMT-34 |
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| DS1650ABL-85 | DALLAS |
获取价格 |
Non-Volatile SRAM Module, 512KX8, 85ns, CMOS, |
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| DS1650ABL-85-IND | DALLAS |
获取价格 |
Non-Volatile SRAM Module, 512KX8, 85ns, CMOS, |
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| DS1650ABLPM-100 | ETC |
获取价格 |
NVRAM (Battery Based) |
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| DS1650ABLPM-70 | ETC |
获取价格 |
NVRAM (Battery Based) |
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| DS1650ABLPM-70-IND | ETC |
获取价格 |
NVRAM (Battery Based) |
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