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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | DIP, DIP16,.3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.92 | Is Samacsys： | N |
| JESD-30 代码： | R-XDIP-T16 | JESD-609代码： | e0 |
| 标称负供电电压： | -5 V | 端子数量： | 16 |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 最大输出低电流： | 0.016 A | 封装主体材料： | CERAMIC |
| 封装代码： | DIP | 封装等效代码： | DIP16,.3 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 电源： | +-5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大接收延迟： | 25 ns | 筛选级别： | MIL-STD-883 Class C |
| 子类别： | Line Driver or Receivers | 最大压摆率： | 60 mA |
| 标称供电电压： | 5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | BIPOLAR | 温度等级： | MILITARY |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | DUAL |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| DS1650J/A+ | TI |
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IC,LINE RECEIVER,QUAD,BIPOLAR,DIFFERENTIAL,DIP,16PIN,CERAMIC |
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| DS1650Y-100 | DALLAS |
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Non-Volatile SRAM Module, 512KX8, 100ns, CMOS, |
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| DS1650Y-100-IND | DALLAS |
获取价格 |
Non-Volatile SRAM Module, 512KX8, 100ns, CMOS, |
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| DS1650Y-70 | DALLAS |
获取价格 |
Non-Volatile SRAM Module, 512KX8, 70ns, CMOS, |
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| DS1650Y-70-IND | ETC |
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NVRAM (Battery Based) |
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| DS1650Y-85 | DALLAS |
获取价格 |
Non-Volatile SRAM Module, 512KX8, 85ns, CMOS, |
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| DS1650Y-85-IND | MAXIM |
获取价格 |
Non-Volatile SRAM Module, 512KX8, 85ns, CMOS, PDIP32, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-32 |
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| DS1650Y-85-IND | DALLAS |
获取价格 |
Non-Volatile SRAM Module, 512KX8, 85ns, CMOS, |
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| DS1650YL-100 | DALLAS |
获取价格 |
Non-Volatile SRAM Module, 512KX8, 100ns, CMOS, |
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| DS1650YL-100-IND | MAXIM |
获取价格 |
Non-Volatile SRAM Module, 512KX8, 100ns, CMOS, PDSO34, LOW PROFILE, SMT-34 |
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