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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.64 |
| 最长访问时间： | 70 ns | 其他特性： | 10 YEAR DATA RETENTION |
| JESD-30 代码： | R-XDIP-P32 | JESD-609代码： | e0 |
| 内存密度： | 4194304 bit | 内存集成电路类型： | NON-VOLATILE SRAM MODULE |
| 内存宽度： | 8 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 32 | 字数： | 524288 words |
| 字数代码： | 512000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 512KX8 | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装代码： | DIP | 封装等效代码： | DIP32,.6 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 电源： | 5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大待机电流： | 0.005 A | 子类别： | SRAMs |
| 最大压摆率： | 0.085 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | PIN/PEG | 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| DS1650Y-70-IND | ETC |
获取价格 |
NVRAM (Battery Based) |
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| DS1650Y-85 | DALLAS |
获取价格 |
Non-Volatile SRAM Module, 512KX8, 85ns, CMOS, |
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| DS1650Y-85-IND | MAXIM |
获取价格 |
Non-Volatile SRAM Module, 512KX8, 85ns, CMOS, PDIP32, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-32 |
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| DS1650Y-85-IND | DALLAS |
获取价格 |
Non-Volatile SRAM Module, 512KX8, 85ns, CMOS, |
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| DS1650YL-100 | DALLAS |
获取价格 |
Non-Volatile SRAM Module, 512KX8, 100ns, CMOS, |
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| DS1650YL-100-IND | MAXIM |
获取价格 |
Non-Volatile SRAM Module, 512KX8, 100ns, CMOS, PDSO34, LOW PROFILE, SMT-34 |
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| DS1650YL-100-IND | DALLAS |
获取价格 |
Non-Volatile SRAM Module, 512KX8, 100ns, CMOS, |
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| DS1650YL-70 | DALLAS |
获取价格 |
Non-Volatile SRAM Module, 512KX8, 70ns, CMOS, |
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| DS1650YL-70-IND | MAXIM |
获取价格 |
Non-Volatile SRAM, 512KX8, 70ns, CMOS |
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| DS1650YL-70-IND | DALLAS |
获取价格 |
Non-Volatile SRAM Module, 512KX8, 70ns, CMOS, |
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