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| 生命周期： | Transferred | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.75 | Is Samacsys： | N |
| 最长访问时间： | 85 ns | 其他特性： | 10 YEAR DATA RETENTION |
| JESD-30 代码： | R-XDSO-U34 | 内存密度： | 4194304 bit |
| 内存集成电路类型： | NON-VOLATILE SRAM MODULE | 内存宽度： | 8 |
| 功能数量： | 1 | 端口数量： | 1 |
| 端子数量： | 34 | 字数： | 524288 words |
| 字数代码： | 512000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 512KX8 | 输出特性： | 3-STATE |
| 可输出： | YES | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装等效代码： | MODULE,34LEAD,1.0 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 电源： | 5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大待机电流： | 0.005 A | 子类别： | SRAMs |
| 最大压摆率： | 0.085 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子形式： | J INVERTED |
| 端子位置： | DUAL | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| DS1650YL-85-IND | ETC |
获取价格 |
NVRAM (Battery Based) |
|
| DS1650YLPM-100 | ETC |
获取价格 |
NVRAM (Battery Based) |
|
| DS1650YLPM-70 | ETC |
获取价格 |
NVRAM (Battery Based) |
|
| DS1650YLPM-70-IND | ETC |
获取价格 |
NVRAM (Battery Based) |
|
| DS1651 | NSC |
获取价格 |
Quad High Speed MOS Sense Amplifiers |
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| DS1651 | DALLAS |
获取价格 |
Memory Circuit, 64X1, CMOS, PDIP8, 0.300 INCH, DIP-8 |
|
| DS1651J | NSC |
获取价格 |
Quad High Speed MOS Sense Amplifiers |
|
| DS1651J/883 | TI |
获取价格 |
IC,VOLT COMPARATOR,QUAD,S-TTL,DIP,16PIN,CERAMIC |
|
| DS1651J/883B | TI |
获取价格 |
IC,VOLT COMPARATOR,QUAD,S-TTL,DIP,16PIN,CERAMIC |
|
| DS1651J/883C | TI |
获取价格 |
IC,VOLT COMPARATOR,QUAD,S-TTL,DIP,16PIN,CERAMIC |
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