5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | DIP, DIP16,.3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.92 | JESD-30 代码： | R-XDIP-T16 |
| JESD-609代码： | e0 | 标称负供电电压： | -5 V |
| 端子数量： | 16 | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 最大输出低电流： | 0.016 A |
| 封装主体材料： | CERAMIC | 封装代码： | DIP |
| 封装等效代码： | DIP16,.3 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 电源： | +-5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大接收延迟： | 25 ns |
| 筛选级别： | MIL-STD-883 Class B (Modified) | 子类别： | Line Driver or Receivers |
| 最大压摆率： | 60 mA | 标称供电电压： | 5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | BIPOLAR |
| 温度等级： | MILITARY | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| DS1652S | DALLAS |
获取价格 |
Memory Circuit, 64X1, CMOS, PDSO8, 0.208 INCH, SOIC-8 |
|
| DS1652SB | DALLAS |
获取价格 |
Memory Circuit, 64X1, CMOS, PDSO8, 0.208 INCH, SOIC-8 |
|
| DS1653 | DALLAS |
获取价格 |
Memory Circuit, 64X1, CMOS, PDIP16, 0.300 INCH, DIP-16 |
|
| DS1653J | ETC |
获取价格 |
Analog Comparator |
|
| DS1653J/A+ | ETC |
获取价格 |
Analog Comparator |
|
| DS1653S | DALLAS |
获取价格 |
Memory Circuit, 64X1, CMOS, PDSO16, 0.208 INCH, SOIC-16 |
|
| DS1658AB-100 | MAXIM |
获取价格 |
Non-Volatile SRAM, 128KX16, 100ns, CMOS, PDIP40 |
|
| DS1658AB-100 | DALLAS |
获取价格 |
Non-Volatile SRAM Module, 256KX8, 100ns, CMOS, |
|
| DS1658AB-100IND | DALLAS |
获取价格 |
Non-Volatile SRAM Module, 128KX16, 100ns, CMOS, |
|
| DS1658AB-100-IND | ETC |
获取价格 |
NVRAM (Battery Based) |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
