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| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.75 | Is Samacsys： | N |
| 最长访问时间： | 70 ns | 其他特性： | 10 YEAR DATA RETENTION |
| JESD-30 代码： | R-XDSO-U34 | 内存密度： | 4194304 bit |
| 内存集成电路类型： | NON-VOLATILE SRAM MODULE | 内存宽度： | 8 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 34 |
| 字数： | 524288 words | 字数代码： | 512000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 512KX8 | |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装等效代码： | MODULE,34LEAD,1.0 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 电源： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大待机电流： | 0.005 A |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.085 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子形式： | J INVERTED | 端子位置： | DUAL |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| DS1650YL-70-IND | MAXIM |
获取价格 |
Non-Volatile SRAM, 512KX8, 70ns, CMOS |
|
| DS1650YL-70-IND | DALLAS |
获取价格 |
Non-Volatile SRAM Module, 512KX8, 70ns, CMOS, |
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| DS1650YL-85 | DALLAS |
获取价格 |
Non-Volatile SRAM Module, 512KX8, 85ns, CMOS, |
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| DS1650YL-85-IND | ETC |
获取价格 |
NVRAM (Battery Based) |
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| DS1650YLPM-100 | ETC |
获取价格 |
NVRAM (Battery Based) |
|
| DS1650YLPM-70 | ETC |
获取价格 |
NVRAM (Battery Based) |
|
| DS1650YLPM-70-IND | ETC |
获取价格 |
NVRAM (Battery Based) |
|
| DS1651 | NSC |
获取价格 |
Quad High Speed MOS Sense Amplifiers |
|
| DS1651 | DALLAS |
获取价格 |
Memory Circuit, 64X1, CMOS, PDIP8, 0.300 INCH, DIP-8 |
|
| DS1651J | NSC |
获取价格 |
Quad High Speed MOS Sense Amplifiers |
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