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DS1650ABL-85

更新时间: 2024-11-29 20:25:35
品牌 Logo 应用领域
美信 - MAXIM 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
12页 190K
描述
Non-Volatile SRAM Module, 512KX8, 85ns, CMOS, PDSO34, LOW PROFILE, SMT-34

DS1650ABL-85 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Not Recommended零件包装代码:SOIC
包装说明:LOW PROFILE, SMT-34针数:34
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:3A991.B.2.A
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.64
Is Samacsys:N最长访问时间:85 ns
其他特性:10 YEAR DATA RETENTIONJESD-30 代码:R-PDSO-U34
长度:24.5745 mm内存密度:4194304 bit
内存集成电路类型:NON-VOLATILE SRAM MODULE内存宽度:8
湿度敏感等级:1功能数量:1
端子数量:34字数:524288 words
字数代码:512000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:512KX8封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SOJ-I封装等效代码:MODULE,34LEAD,1.0
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):225
电源:5 V认证状态:Not Qualified
座面最大高度:6.35 mm最大待机电流:0.005 A
子类别:SRAMs最大压摆率:0.085 mA
最大供电电压 (Vsup):5.25 V最小供电电压 (Vsup):4.75 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子形式:J INVERTED端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:21.5265 mmBase Number Matches:1

DS1650ABL-85 数据手册

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