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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| DS1650ABL-100-IND | MAXIM |
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Non-Volatile SRAM Module, 512KX8, 100ns, CMOS, PDSO34, LOW PROFILE, SMT-34 |
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| DS1650ABL-100-IND | DALLAS |
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Non-Volatile SRAM Module, 512KX8, 100ns, CMOS, |
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| DS1650ABL-70 | MAXIM |
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Non-Volatile SRAM Module, 512KX8, 70ns, CMOS, PDSO34, LOW PROFILE, SMT-34 |
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| DS1650ABL-70 | DALLAS |
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Non-Volatile SRAM Module, 512KX8, 70ns, CMOS, |
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| DS1650ABL-70-IND | MAXIM |
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Non-Volatile SRAM Module, 512KX8, 70ns, CMOS, PDSO34, LOW PROFILE, SMT-34 |
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| DS1650ABL-70-IND | DALLAS |
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Non-Volatile SRAM Module, 512KX8, 70ns, CMOS, |
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| DS1650ABL-85 | MAXIM |
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Non-Volatile SRAM Module, 512KX8, 85ns, CMOS, PDSO34, LOW PROFILE, SMT-34 |
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| DS1650ABL-85 | DALLAS |
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Non-Volatile SRAM Module, 512KX8, 85ns, CMOS, |
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| DS1650ABL-85-IND | DALLAS |
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Non-Volatile SRAM Module, 512KX8, 85ns, CMOS, |
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| DS1650ABLPM-100 | ETC |
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NVRAM (Battery Based) |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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