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DS1650AB-100-IND

更新时间: 2024-11-29 20:25:35
品牌 Logo 应用领域
美信 - MAXIM 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
12页 190K
描述
Non-Volatile SRAM Module, 512KX8, 100ns, CMOS, PDIP32, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-32

DS1650AB-100-IND 技术参数

是否无铅:含铅是否Rohs认证:不符合
生命周期:Not Recommended零件包装代码:DIP
包装说明:0.600 INCH, PLASTIC, DIP-32针数:32
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:3A991.B.2.A
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.51
Is Samacsys:N最长访问时间:100 ns
其他特性:10 YEAR DATA RETENTIONJESD-30 代码:R-PDIP-T32
JESD-609代码:e0长度:42.925 mm
内存密度:4194304 bit内存集成电路类型:NON-VOLATILE SRAM MODULE
内存宽度:8功能数量:1
端子数量:32字数:524288 words
字数代码:512000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-40 °C
组织:512KX8封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:DIP封装等效代码:DIP32,.6
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:5 V认证状态:Not Qualified
座面最大高度:9.52 mm最大待机电流:0.005 A
子类别:SRAMs最大压摆率:0.085 mA
最大供电电压 (Vsup):5.25 V最小供电电压 (Vsup):4.75 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:INDUSTRIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED宽度:15.24 mm
Base Number Matches:1

DS1650AB-100-IND 数据手册

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