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DS1630AB-120-IND

更新时间: 2024-10-28 19:50:31
品牌 Logo 应用领域
达拉斯 - DALLAS 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
12页 474K
描述
Non-Volatile SRAM Module, 32KX8, 120ns, CMOS,

DS1630AB-120-IND 技术参数

是否Rohs认证:不符合生命周期:Transferred
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.81
Is Samacsys:N最长访问时间:120 ns
其他特性:10 YEAR DATA RETENTIONJESD-30 代码:R-XDIP-P28
JESD-609代码:e0内存密度:262144 bit
内存集成电路类型:NON-VOLATILE SRAM MODULE内存宽度:8
功能数量:1端子数量:28
字数:32768 words字数代码:32000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C组织:32KX8
封装主体材料:UNSPECIFIED封装代码:DIP
封装等效代码:DIP28,.6封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE并行/串行:PARALLEL
电源:5 V认证状态:Not Qualified
最大待机电流:0.005 A子类别:SRAMs
最大压摆率:0.085 mA最大供电电压 (Vsup):5.25 V
最小供电电压 (Vsup):4.75 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:PIN/PEG端子节距:2.54 mm
端子位置:DUALBase Number Matches:1

DS1630AB-120-IND 数据手册

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