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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Not Recommended |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | 风险等级： | 5.92 |
| 最长访问时间： | 70 ns | JESD-30 代码： | R-PDIP-T28 |
| JESD-609代码： | e0 | 内存密度： | 262144 bit |
| 内存集成电路类型： | NON-VOLATILE SRAM | 内存宽度： | 8 |
| 端子数量： | 28 | 字数： | 32768 words |
| 字数代码： | 32000 | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 组织： | 32KX8 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | DIP |
| 封装等效代码： | DIP28,.6 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 电源： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大待机电流： | 0.005 A |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.085 mA |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | DUAL |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| DS1630AB-70-IND | ETC | NVRAM (Battery Based) |
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| DS1630AB-85-IND | DALLAS | Non-Volatile SRAM Module, 32KX8, 85ns, CMOS, |
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| DS1630ABL-100 | DALLAS | Non-Volatile SRAM Module, 32KX8, 100ns, CMOS, |
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| DS1630ABL-100-IND | DALLAS | Non-Volatile SRAM Module, 32KX8, 100ns, CMOS, |
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| DS1630ABL-120 | DALLAS | Non-Volatile SRAM Module, 32KX8, 120ns, CMOS, |
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| DS1630ABL-120-IND | DALLAS | Non-Volatile SRAM Module, 32KX8, 120ns, CMOS, |
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