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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.92 |
| JESD-30 代码： | R-XDIP-T14 | JESD-609代码： | e0 |
| 逻辑集成电路类型： | BUFFER | 端子数量： | 14 |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 封装主体材料： | CERAMIC | 封装代码： | DIP |
| 封装等效代码： | DIP14,.3 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 认证状态： | Not Qualified |
| 施密特触发器： | NO | 筛选级别： | MIL-STD-883 Class C |
| 子类别： | Gates | 表面贴装： | NO |
| 技术： | BIPOLAR | 温度等级： | MILITARY |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | DUAL |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| DS1630Y-100 | DALLAS | Non-Volatile SRAM Module, 32KX8, 100ns, CMOS, |
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| DS1630Y-100-IND | DALLAS | Non-Volatile SRAM Module, 32KX8, 100ns, CMOS, |
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| DS1630Y-120-IND | DALLAS | Non-Volatile SRAM Module, 32KX8, 120ns, CMOS, |
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| DS1630Y-150 | DALLAS | Non-Volatile SRAM, 32KX8, 150ns, CMOS, PDIP28, |
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| DS1630Y-200 | DALLAS | Non-Volatile SRAM, 32KX8, 200ns, CMOS, PDIP28, |
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| DS1630Y-70 | DALLAS | Non-Volatile SRAM Module, 32KX8, 70ns, CMOS, |
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