5秒后页面跳转
DS1630YL-120 PDF预览

DS1630YL-120

更新时间: 2024-02-05 01:24:25
品牌 Logo 应用领域
达拉斯 - DALLAS 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
12页 474K
描述
Non-Volatile SRAM Module, 32KX8, 120ns, CMOS,

DS1630YL-120 技术参数

生命周期:TransferredReach Compliance Code:unknown
风险等级:5.73Is Samacsys:N
最长访问时间:120 ns其他特性:10 YEAR DATA RETENTION
JESD-30 代码:R-XDSO-U34内存密度:262144 bit
内存集成电路类型:NON-VOLATILE SRAM MODULE内存宽度:8
功能数量:1端口数量:1
端子数量:34字数:32768 words
字数代码:32000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-40 °C
组织:32KX8输出特性:3-STATE
可输出:YES封装主体材料:UNSPECIFIED
封装等效代码:MODULE,34LEAD,1.0封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE并行/串行:PARALLEL
电源:5 V认证状态:Not Qualified
最大待机电流:0.005 A子类别:SRAMs
最大压摆率:0.085 mA最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL端子形式:J INVERTED
端子位置:DUALBase Number Matches:1

DS1630YL-120 数据手册

 浏览型号DS1630YL-120的Datasheet PDF文件第2页浏览型号DS1630YL-120的Datasheet PDF文件第3页浏览型号DS1630YL-120的Datasheet PDF文件第4页浏览型号DS1630YL-120的Datasheet PDF文件第5页浏览型号DS1630YL-120的Datasheet PDF文件第6页浏览型号DS1630YL-120的Datasheet PDF文件第7页 

与DS1630YL-120相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
DS1630YL-120-IND DALLAS Non-Volatile SRAM Module, 32KX8, 120ns, CMOS,

获取价格

DS1630YL-70-IND DALLAS Non-Volatile SRAM Module, 32KX8, 70ns, CMOS,

获取价格

DS1630YL-85 DALLAS Non-Volatile SRAM Module, 32KX8, 85ns, CMOS,

获取价格

DS1630YL-85-IND DALLAS Non-Volatile SRAM Module, 32KX8, 85ns, CMOS,

获取价格

DS1630YLPM-100 DALLAS Non-Volatile SRAM Module, 32KX8, 100ns, CMOS,

获取价格

DS1630YLPM-70 DALLAS Non-Volatile SRAM Module, 32KX8, 70ns, CMOS,

获取价格