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DS1630YLPM-70-IND

更新时间: 2024-01-09 10:28:53
品牌 Logo 应用领域
其他 - ETC 电池内存集成电路静态存储器
页数 文件大小 规格书
12页 271K
描述
NVRAM (Battery Based)

DS1630YLPM-70-IND 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Not Recommended
Reach Compliance Code:not_compliant风险等级:5.81
Is Samacsys:N最长访问时间:70 ns
内存密度:262144 bit内存集成电路类型:NON-VOLATILE SRAM
内存宽度:8端子数量:34
字数:32768 words字数代码:32000
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-40 °C
组织:32KX8封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装等效代码:MODULE,34LEAD,1.0封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源:5 V认证状态:Not Qualified
最大待机电流:0.005 A子类别:SRAMs
最大压摆率:0.085 mA标称供电电压 (Vsup):5 V
技术:CMOS温度等级:INDUSTRIAL
Base Number Matches:1

DS1630YLPM-70-IND 数据手册

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