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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Not Recommended | 零件包装代码： | SOIC |
| 包装说明： | LOW PROFILE, SMT-34 | 针数： | 34 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.61 |
| Is Samacsys： | N | 最长访问时间： | 100 ns |
| 其他特性： | 10 YEAR DATA RETENTION | JESD-30 代码： | R-PDSO-U34 |
| 长度： | 24.5745 mm | 内存密度： | 262144 bit |
| 内存集成电路类型： | NON-VOLATILE SRAM MODULE | 内存宽度： | 8 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 34 | 字数： | 32768 words |
| 字数代码： | 32000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 组织： | 32KX8 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | SOJ-I | 封装等效代码： | MODULE,34LEAD,1.0 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | 225 |
| 电源： | 5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 6.35 mm | 最大待机电流： | 0.005 A |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.085 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子形式： | J INVERTED | 端子节距： | 1.27 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 宽度： | 21.5265 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| DS1630YL-120 | DALLAS | Non-Volatile SRAM Module, 32KX8, 120ns, CMOS, |
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| DS1630YL-120-IND | DALLAS | Non-Volatile SRAM Module, 32KX8, 120ns, CMOS, |
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| DS1630YL-70-IND | DALLAS | Non-Volatile SRAM Module, 32KX8, 70ns, CMOS, |
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| DS1630YL-85 | DALLAS | Non-Volatile SRAM Module, 32KX8, 85ns, CMOS, |
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| DS1630YL-85-IND | DALLAS | Non-Volatile SRAM Module, 32KX8, 85ns, CMOS, |
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| DS1630YLPM-100 | DALLAS | Non-Volatile SRAM Module, 32KX8, 100ns, CMOS, |
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