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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | DIP |
| 包装说明： | DIP, | 针数： | 14 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.33.00.01 | 风险等级： | 5.66 |
| Is Samacsys： | N | 放大器类型： | BUFFER |
| JESD-30 代码： | R-GDIP-T14 | JESD-609代码： | e0 |
| 长度： | 19.43 mm | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 14 | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 封装主体材料： | CERAMIC, GLASS-SEALED |
| 封装代码： | DIP | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 5.08 mm |
| 子类别： | Buffer Amplifier | 供电电压上限： | 16 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | MILITARY |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 宽度： | 7.62 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| DS1630J | TI |
获取价格 |
IC,LOGIC GATE,HEX BUFFER,BIPOLAR,DIP,14PIN,CERAMIC |
|
| DS1630J/883 | TI |
获取价格 |
IC,LOGIC GATE,HEX BUFFER,BIPOLAR,DIP,14PIN,CERAMIC |
|
| DS1630J/883B | TI |
获取价格 |
IC,LOGIC GATE,HEX BUFFER,BIPOLAR,DIP,14PIN,CERAMIC |
|
| DS1630Y-100 | DALLAS |
获取价格 |
Non-Volatile SRAM Module, 32KX8, 100ns, CMOS, |
|
| DS1630Y-100-IND | DALLAS |
获取价格 |
Non-Volatile SRAM Module, 32KX8, 100ns, CMOS, |
|
| DS1630Y-120-IND | DALLAS |
获取价格 |
Non-Volatile SRAM Module, 32KX8, 120ns, CMOS, |
|
| DS1630Y-150 | DALLAS |
获取价格 |
Non-Volatile SRAM, 32KX8, 150ns, CMOS, PDIP28, |
|
| DS1630Y-200 | DALLAS |
获取价格 |
Non-Volatile SRAM, 32KX8, 200ns, CMOS, PDIP28, |
|
| DS1630Y-70 | DALLAS |
获取价格 |
Non-Volatile SRAM Module, 32KX8, 70ns, CMOS, |
|
| DS1630Y-70-IND | DALLAS |
获取价格 |
Non-Volatile SRAM Module, 32KX8, 70ns, CMOS, |
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